[发明专利]光刻胶的去除方法、曝光装置以及显示基板的制造方法

权利要求书

1.一种光刻胶去除方法，用于对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行去除，其特征在于，该方法包括：

对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行曝光处理；

通过显影处理去除曝光处理后的光刻胶。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行曝光处理，包括：

根据需要去除的光刻胶的厚度，确定对光刻胶进行曝光处理的曝光能量；

根据所述确定的曝光处理的曝光能量，对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行曝光处理。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行去除，是对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行整体剥离处理，所述需要去除的光刻胶的厚度为所述构图工艺处理后的基板上的光刻胶的最大厚度。

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行去除，是对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行灰化处理，所述需要去除的光刻胶的厚度为所述构图工艺处理后的基板上的光刻胶厚度的一部分。

5.如权利要求1或2任一所述的方法，其特征在于，所述对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行曝光处理，包括：

根据需要去除的光刻胶的厚度，确定对光刻胶进行曝光处理的曝光强度；根据所述确定的曝光处理的曝光强度，对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行曝光处理；或

根据需要去除的光刻胶的厚度，确定对光刻胶进行曝光处理的时间长度；根据所述确定的曝光处理的时间长度，对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行曝光处理。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行曝光处理，包括：

通过曝光光源对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行曝光处理。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述曝光光源为条状光源，所述条状光源沿与基板平行的方向匀速照射基板，使所述基板上的光刻胶的曝光程度相同。

8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述曝光光源为平面状光源，所述光源垂直照射在基板上，使所述基板上的光刻胶的曝光程度相同。

9.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述曝光光源包括：白光光源，紫外光源。

10.一种显示基板的制造方法，包括利用光刻胶通过构图工艺在衬底基板上形成器件图形，以及对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行去除的步骤，其特征在于，所述对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行去除的步骤包括如权利要求1-9中任一项所述的光刻胶去除方法。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述利用光刻胶通过构图工艺在衬底基板上形成器件图形，包括：

在所述衬底基板上形成所述器件的材料膜层；

在所述器件的材料膜层上形成光刻胶膜层；

对所述光刻胶膜层进行掩膜曝光、显影，除去一部分光刻胶，剩余所述构图工艺处理后的基板上的光刻胶，并露出所述材料膜层的一部分；

对所述材料膜层的一部分进行刻蚀，形成所述器件图形。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述显示基板为薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板包括薄膜晶体管、像素电极、栅线以及数据线；

所述器件图形为所述薄膜晶体管中的栅极、有源层、源漏电极、所述像素电极、所述栅线或所述数据线的图形。

13.一种曝光装置，包括曝光光源，其特征在于，所述曝光光源包括掩膜曝光光源和光刻胶去除曝光光源，其中，所述掩膜曝光光源用于在利用掩膜版对基板上的膜层进行掩膜曝光处理时对所述膜层进行照射；所述光刻胶去除曝光光源用于在利用权利要求1-9中任一项所述方法对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行去除时对所述构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行照射。