[发明专利]含硼聚乙烯补偿3He正比计数器中子能量响应的方法在审

专利信息
申请号: 201310445498.8 申请日: 2013-09-26
公开(公告)号: CN104516023A 公开(公告)日: 2015-04-15
发明(设计)人: 刘建忠;王勇;刘倍;徐园;刘惠英 申请(专利权)人: 中国辐射防护研究院
主分类号: G01V3/00 分类号: G01V3/00
代理公司: 北京天悦专利代理事务所(普通合伙)11311 代理人: 田明;任晓航
地址: 030006*** 国省代码: 山西;14
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摘要:
搜索关键词: 聚乙烯 补偿 he 正比计数器 中子 能量 响应 方法
【说明书】:

技术领域

本发明属于辐射测量领域,具体涉及一种含硼聚乙烯补偿3He正比计数器中子能量响应的方法。

背景技术

3He正比计数器以其探测效率高、使用方便而广泛应用于中子的测量活动中。3He正比计数器是以3He(n,p)T反应对中子进行探测的,3He气体与中子的反应截面与中子能量相关,以热中子为最高(5330靶),随着中子能量的升高,反应截面呈下降趋势。在实际应用过程中,3He正比计数器在低能段的响应明显高于国际放射委员会(ICRP)74号出版物给出的注量剂量转换曲线,如不加以补偿,会给实际测量工作带来较大的误差。ICRP74号出版物给出的注量剂量转换曲线和未经补偿的3He正比计数器能量响应曲线对比如图1所示,从图1中可明显看出,两条在中子能量低能段有较大的差异。

发明内容

针对现有技术中存在的缺陷,本发明的目的是提供一种含硼聚乙烯补偿3He正比计数器中子能量响应的方法,该方法能够实现低能补偿,有效改善3He正比计数器对低能中子的响应。

为达到以上目的,本发明采用的技术方案是:一种含硼聚乙烯补偿3He正比计数器中子能量响应的方法,包括以下步骤:在3He正比计数器外包裹一层含硼聚乙烯的薄片,所述的含硼聚乙烯薄片表面打有一定数量的孔洞。

进一步,所述的含硼聚乙烯薄片的厚度在3~10㎜范围内,优选的厚度在6~7㎜范围内。

进一步,所述的孔洞的直径为2~10㎜,优选的孔洞的直径为3~4㎜。

进一步,所述的孔洞的总面积占整个含硼聚乙烯薄片面积的10~20%,优选的,所述的孔洞的总面积占整个含硼聚乙烯薄片面积的14~15%。

进一步,所述的含硼聚乙烯薄片直接包裹在正比计数器外。

进一步,所述的含硼聚乙烯薄片与正比计数器间填充有慢化材料,所述的含硼聚乙烯薄片与3He正比计数器之间的距离不超过30㎜。

进一步,使用含硼聚乙烯制成薄片,其厚度用蒙卡的方法计算后确定,并将含硼聚乙烯薄片加工成与探测器相似形状,孔的直径和数量也用蒙卡的方法计算后确定。

本发明的效果在于:采用本发明所述的方法,实现了低能补偿,有效改善3He正比计数器对低能中子的响应。

附图说明

图1是注量剂量转换曲线和未经补偿的能量响应曲线对比图;

图2是本发明具体实施例1中含硼聚乙烯筒的形状示意图;

图3是本发明具体实施例1中注量剂量转换曲线和补偿后的能量响应曲线对比图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步描述。

实现低能补偿有两种方法:一是降低探测器在低能段中子的响应;二是降低低能段中子的数量。本发明是采用第二种方法达到补偿的目的。

10B与中子的反应截面较高,和热中子的截面是3840靶,因此含有10B的材料能有效吸收低能段中子,方法是在3He正比计数器外包裹一层含有10B的聚乙烯材料,为使3He正比计数器的低能段响应不至于过低,含硼聚乙烯表面打有一定数量的孔洞。

含硼聚乙烯的厚度、孔的数量和直径等参数可以用实验或模拟计算两种方法确定。由于通过实验的方法费时费力,而且只能在有限的几个能量点进行实验,因此本专利的各项参数是由模拟计算的方式给出的。常用的蒙卡模拟计算程序都能使用,如MCNP、Geant4、FLUKA等,本专利的参数是使用MCNP计算得到的,程序的版本是4C。首先在仪器适用的中子能量范围,计算经过慢化后到达含硼聚乙烯处的中子注量,在MCNP输入文件中调整含硼聚乙烯厚度使所有的热中子都会被吸收。在含硼聚乙烯上打孔,在输入文件中调整孔的直径大小和数量多少,在结果中挑选一个最优的方案,使其响应与ICRP 74号出版物给出的注量剂量转换曲线尽量贴近。

本实施例中,根据3He正比计数器的形状,按照上述计算得到的厚度、孔洞直径和数量,将含硼聚乙烯薄片加工成能罩住3He正比计数器的形状和大小,孔洞应均匀分布在含硼聚乙烯薄片上。

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