[发明专利]研磨方法

说明书

本发明提供一种研磨方法，能够在晶片的边缘部形成光滑的垂直面。本发明的研磨方法，使晶片（W）旋转，进行第一研磨工序：在使研磨带（38）的一部分从推压垫（51）朝晶片（W）的半径方向内侧突出的状态下，通过推压垫（51）将研磨带（38）相对于晶片（W）的边缘部推抵而对该晶片（W）的边缘部进行研磨，并且将研磨带（38）的一部分沿推压垫（51）折弯；将折弯的研磨带（38）的一部分通过推压垫（51）朝晶片（W）的半径方向内侧推压，由此进行以研磨带（38）对晶片（W）的边缘部进一步研磨的第二研磨工序。

技术领域

本发明涉及对晶片等的基板进行研磨的研磨方法，尤其涉及将研磨带等的研磨工具推抵在基板的周缘部而对该周缘部进行研磨的研磨方法。

背景技术

为了对晶片的周缘部进行研磨，使用研磨带或者具有固定磨粒等的研磨工具的研磨装置。这种研磨装置，一边使晶片旋转，一边使研磨工具接触晶片的周缘部并由此对晶片的周缘部进行研磨。本说明书中，对于晶片的周缘部，将其定义为包含位于晶片的最外周的斜角部、位于该斜角部的半径方向内侧的上边缘部以及底边缘部的区域。

图52A以及图52B是表示晶片的周缘部的放大剖视图。更详细地说，图52A是所谓直型的晶片的剖视图，图52B是所谓圆型的晶片的剖视图。在图52A的晶片W中，斜角部是由上侧倾斜部（上侧斜角部）P、下侧倾斜部（下侧斜角部）Q、以及侧部（顶端）R构成的晶片W的最外周面（以附图标记B表示）。在图52B的晶片W中，斜角部是构成晶片W的最外周面的具有弯曲剖面的部分（以附图标记B表示）。上边缘部是与斜角部B相比位于半径方向内侧的平坦部E1。底边缘部是位于与上边缘部相反的一侧且与斜角部B相比位于半径方向内侧的平坦部E2。以下，将这些上边缘部E1以及底边缘部E2统称地称作边缘部。边缘部有时还包括形成有器件的区域。

在SOI（Silicon on Insulator：绝缘硅）基板等的制造工序中，如图53所示，要求在晶片W的边缘部形成垂直面以及水平面。这样的边缘部的截面形状能够通过图54所示那样的研磨方法实现。即，一边使晶片W旋转，一边以推压垫300将研磨带301的边缘部推抵于边缘部，由此对晶片W的边缘部进行研磨。研磨带301的下表面构成保持有磨粒的研磨面，该研磨面与晶片W平行地配置。而且，在使研磨带301的边缘部位于晶片W的边缘部的状态下，以推压垫300将研磨带301的研磨面相对于晶片W的边缘部进行推抵，由此，能够在晶片W的边缘部形成图53所示那样的直角的截面形状，即垂直面以及水平面。

然而，上述垂直面是通过以研磨带301的边缘部对晶片W的边缘部进行削去而形成的，因此，如图55A所示，存在垂直面粗糙的情况。另外，如图55B至图55D所示，存在在对作为消耗品的推压垫300进行更换的前后，垂直面的形状发生变化的情况。

在SOI基板等的制造工序中，存在优选在晶片W的边缘部取代图53所示的垂直面而形成图56所示那样的倒锥面的情况。然而，以图54所示的研磨方法难以形成这样的倒锥面。

另外，存在由于通过晶片边缘部的水平面内的位置而使研磨带与水平面的接触面积不同，结果水平面的一部分倾斜的情况。对于该问题参照附图进行说明。图57是表示图54所示的推压垫300以及研磨带301的俯视图。晶片W为圆形而推压垫300为矩形形状。因此，如图57的虚线所示，研磨带301与晶片W的接触长度（即研磨面积）在晶片边缘部的水平面内的半径方向内侧区域和半径方向外侧区域是不同的。其结果，如图58所示，水平面内的半径方向内侧区域会倾斜。

发明内容

发明所要解决的课题

本发明的第一目的在于，提供一种研磨方法，能够在晶片等的基板的边缘部形成平滑的垂直面。

另外，本发明的第二目的在于，提供一种研磨方法，能够在晶片等的基板的边缘部形成倒锥面。

并且，本发明的第三目的在于，提供一种研磨方法，能够在晶片等的基板的边缘部形成平坦的水平面。