[发明专利]半导体装置无效
| 申请号: | 201310439864.9 | 申请日: | 2013-09-25 |
| 公开(公告)号: | CN103677071A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
| 发明(设计)人: | 时冈良宜;冨上健司;森信太郎;中村茂树 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号: | G05F3/26 | 分类号: | G05F3/26 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 宋岩 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,包括:
第一电源配线,接收第一DC电压的供给;
第二电源配线,用于传输低于第一DC电压的第二DC电压;
驱动晶体管,被耦接在第一电源配线和第二电源配线之间,并且将根据控制电极的电压的驱动电流从第一电源配线供给到第二电源配线;
误差放大器,基于在参考电压和第二DC电压之间的差电压,使控制电极的电压或者向在增大驱动电流的方向上的第一电压变化或者向在减小驱动电流的方向上的第二电压变化;以及
箝位电路,当第二DC电压超过高于参考电压的预定电压时,使控制电极的电压向第二电压变化。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,
其中,驱动晶体管是n型场效应晶体管,并且
其中,当第二DC电压超过所述预定电压时,箝位电路降低控制电极的电压。
3.根据权利要求1所述的半导体装置,
其中,驱动晶体管是p型场效应晶体管,并且
其中,当第二DC电压超过所述预定电压时,箝位电路升高控制电极的电压。
4.根据权利要求2所述的半导体装置,
其中,箝位电路包括:
差分放大器,输出通过放大在所述预定电压和第二DC电压之间的差电压而获得的电压;以及
箝位部件,被电耦接在供给第二电压的节点和驱动晶体管的控制电极之间,并且
其中,当第二DC电压超过所述预定电压时,箝位部件根据差分放大器的输出电压来将控制电极与所述节点电耦接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瑞萨电子株式会社,未经瑞萨电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310439864.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





