[发明专利]磁共振成像装置及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201310438793.0 申请日: 2013-09-24
公开(公告)号: CN103654787A 公开(公告)日: 2014-03-26
发明(设计)人: 崔胜齐;朴东瑾;黄圭完 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: A61B5/055 分类号: A61B5/055
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 张波
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 磁共振 成像 装置 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

本公开涉及使用磁共振成像(MRI)诊断各种疾病的MRI装置及其制造方法。

背景技术

一般而言,医学成像系统是用于提供关于病人体内的图像信息的装置。医学成像系统包括X-射线设备、超声诊断仪器、计算机断层成像(CT)扫描仪、磁共振成像(MRI)装置等。

MRI装置在医学成像诊断领域保持重要位置,原因在于图像采集条件相对自由且MRI装置能够提供优良的可检测性并能够提供关于软组织的各种诊断信息图像。

MRI通过使用对人无害的磁场和非电离辐射的RF在人体的氢原子核中引起核磁共振(NMR),于是使原子核的密度以及物理或化学特性成像。

更详细地,在恒定磁场已经被施加到原子核的状态下,MRI装置将特定频率和能量供应至原子核,以使得原子核释放能量,并且MRI装置将从原子核释放的能量转换成信号,由此能够可见地诊断人体内部。

在施加磁场时,配置该原子核的质子因为该质子具有自旋角动量和磁偶极矩而在磁场方向布置,并且原子核进行关于磁场方向的进动。该进动导致核磁共振,使得能够通过该核磁共振获得人体的内部图像。

同时,MRI装置向目标中形成的静磁场施加梯度场,于是获得目标的图像。为了在静磁场中形成梯度场,需要向梯度线圈单元供应脉冲型电流。

如果脉冲型电流被施加到梯度线圈单元,则由于电磁感应,涡流电流流过用于在目标中形成静磁场的静磁场线圈单元。在静磁场线圈单元中感生的涡流电流还感应妨碍正常图像的获得的磁场,导致图像品质的劣化。

因此,为了避免由于流过用于在目标中形成静磁场的静磁场线圈单元的这样的涡流电流引起的图像品质劣化,在该领域中需要一种能够抑制涡流电流的影响的技术。

发明内容

因此,本发明的一方面提供一种磁共振成像(MRI)装置和该MRI装置的制造方法,其中导体安装在静磁场线圈单元和梯度线圈单元之间的空间中以消除在静磁场线圈单元中感生的涡流电流的不对称,使得涡流电流具有对称分布。

本发明的额外方面将在以下的描述中被部分地阐述,且可以通过对本发明的实践而习知。

根据本发明的一个示例性方面,磁共振成像(MRI)装置可以包括:静磁场线圈单元,配置为在目标中形成静磁场;梯度线圈单元,配置为在静磁场中形成梯度场;和一个或多个导体,安装在静磁场线圈单元和梯度线圈单元之间的空间中,并配置为使静磁场线圈单元中感生的涡流电流对称地分布。

一个或多个导体可以安装在不对称空间中,由此调整在静磁场线圈单元中感生的涡流电流的幅度,该不对称空间是在梯度线圈单元偏离参考状态时形成的,其中在参考状态中梯度线圈单元与静磁场线圈单元形成同心体。换言之,当梯度线圈从与静磁场线圈单元形成同心体的位置(参考状态)移动时,在静磁场线圈单元中的涡流电流的幅度被调整。

一个或多个导体可以安装在过度空间中,由此调整在静磁场线圈单元的一部分(该部分与过度空间相应)中感生的涡流电流的幅度,该过度空间是在梯度线圈单元偏离参考状态时形成的,其中在参考状态中梯度线圈单元与静磁场线圈单元形成同心体。

此外,静磁场线圈单元的与过度空间相应的部分可以包括一区域,在所述区域中,梯度线圈单元和静磁场线圈单元之间的空间在梯度线圈单元偏离参考状态时变宽。

一个或多个导体可以安装在用于对称地分布在静磁场线圈单元中感生并且在x轴、y轴和z轴方向当中的至少一个方向上不对称分布的涡流电流的幅度的位置处。

一个或多个导体可以由铜(Cu)、铝(Al)和不锈钢(SUS)当中的至少一种材料构成。

静磁场线圈单元可以包括在其中安装导体的一个或多个安装单元。

导体的尺寸和数量的至少一个可以基于对静磁场线圈单元中感生的涡流电流的测量结果而被确定。

一个或多个导体可以安装在静磁场线圈单元的一区域中,在该区域中所测量的涡流电流的幅度小于在静磁场线圈单元的另一区域测量的涡流电流的幅度,并且在所述区域中测量的涡流电流的较小幅度或所述区域的较大尺寸导致安装在所述区域中的一个或多个导体的较大尺寸或者较大量的所述导体。

一个或多个导体的形状可以基于其中安装导体的区域的形状而被决定。

根据本发明的另一示例性方面,一种磁共振成像(MRI)装置的制造方法可以包括:测量在静磁场线圈单元中形成的涡流电流;基于该测量结果,确定一个或多个导体将被安装从而形成在静磁场线圈单元中感生的涡流电流的对称分布的位置;和在所确定的位置中安装导体。

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