[发明专利]磁共振成像装置及其制造方法

权利要求书

1.一种磁共振成像装置，包括：

静磁场线圈单元，配置为在目标中形成静磁场；

梯度线圈单元，配置为在所述静磁场中形成梯度场；和

一个或多个导体，安装在所述静磁场线圈单元和所述梯度线圈单元之间的空间中，并且被配置为使所述静磁场线圈单元中感生的涡流电流对称地分布。

2.根据权利要求1所述的磁共振成像装置，其中所述一个或多个导体安装在不对称空间中并且被配置用于调整在所述静磁场线圈单元中感生的所述涡流电流的幅度，该不对称空间是在所述梯度线圈单元偏离参考状态时形成的，其中在参考状态中所述梯度线圈单元与所述静磁场线圈单元形成同心体。

3.根据权利要求1所述的磁共振成像装置，其中所述一个或多个导体安装在过度空间中并且被配置用于调整在所述静磁场线圈单元的与所述过度空间相应的部分中感生的所述涡流电流的幅度，该过度空间是在所述梯度线圈单元在位置上偏离参考状态时而形成的，其中在参考状态中所述梯度线圈单元与所述静磁场线圈单元形成同心体，

其中所述过度空间包括一区域，在该区域中，所述梯度线圈单元和所述静磁场线圈单元之间的所述空间在所述梯度线圈单元偏离所述参考状态时变宽。

4.根据权利要求1所述的磁共振成像装置，其中所述一个或多个导体安装在用于对称地分布在所述静磁场线圈单元中感生并且在x轴、y轴和z轴方向当中的至少一个方向上不对称分布的所述涡流电流的幅度的位置。

5.根据权利要求1所述的磁共振成像装置，其中所述静磁场线圈单元包括在其中安装所述导体的一个或多个安装单元。

6.根据权利要求1所述的磁共振成像装置，其中所述导体的尺寸和数量的至少一个基于对所述静磁场线圈单元中感生的所述涡流电流的一个或多个测量结果而被确定。

7.根据权利要求6所述的磁共振成像装置，其中所述导体安装在所述静磁场线圈单元的一区域中，在所述区域中所测量的涡流电流的幅度小于在所述静磁场线圈单元的另一区域测量的涡流电流的幅度，并且在所述区域中测量的所述涡流电流的较小幅度或所述区域的较大尺寸导致安装在所述区域中的所述导体的较大尺寸或者较大量的所述导体。

8.根据权利要求1所述的磁共振成像装置，其中所述导体的所述形状基于其中安装所述导体的区域的形状而被确定。

9.一种磁共振成像装置的制造方法，包括：

测量在静磁场线圈单元中形成的涡流电流；

基于所述测量的结果而确定一个或多个导体将被安装的位置，从而形成在所述静磁场线圈单元中感生的所述涡流电流的对称分布；和

在所确定的位置中安装所述一个或多个导体。

10.根据权利要求9所述的制造方法，其中所述一个或多个导体的所述安装位置包括当所述梯度线圈单元偏离参考状态的位置时而形成的不对称空间，其中在参考状态，所述梯度线圈单元与所述静磁场线圈单元形成同心体。

11.根据权利要求9所述的制造方法，其中所述一个或多个导体的所述安装位置包括在所述梯度线圈单元和所述静磁场线圈单元之间的过度空间，所述过度空间在所述梯度线圈单元偏离参考状态时形成，在参考状态中所述梯度线圈单元与所述静磁场线圈单元形成同心体，其中所述过度空间包括一区域，在该区域中所述梯度线圈单元和所述静磁场线圈单元之间的所述空间在所述梯度线圈单元偏离所述参考状态时变宽。

12.根据权利要求9所述的制造方法，其中所述一个或多个导体的所述安装位置包括所述静磁场线圈单元的一区域，在该区域中测得在所述静磁场线圈单元的涡流电流的不对称分布中的较小幅度的涡流电流，所述不对称分布出现在x轴、y轴和z轴方向当中的至少一个方向上。

13.根据权利要求9所述的制造方法，其中所述静磁场线圈单元包括其中安装所述一个或多个导体的一个或多个安装单元，和

在所确定的位置中安装所述一个或多个导体包括在所述静磁场线圈单元的所述安装单元中安装所述导体，所述安装单元被安装在所确定的安装位置中。

14.根据权利要求9所述的制造方法，其中用于形成在所述静磁场线圈单元中感生的所述涡流电流的所述对称分布的所述一个或多个导体的尺寸和数量的至少一个基于所述测量结果被确定。