[发明专利]一种表面阴离子改性的富锂锰基正极材料及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201310436059.0 申请日: 2013-09-24
公开(公告)号: CN103500824A 公开(公告)日: 2014-01-08
发明(设计)人: 宋缙华;顾海涛;解晶莹;王可;黄莉 申请(专利权)人: 上海空间电源研究所
主分类号: H01M4/505 分类号: H01M4/505;H01M4/525
代理公司: 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 代理人: 张静洁;贾慧琴
地址: 200245 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 表面 阴离子 改性 富锂锰基 正极 材料 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种表面阴离子改性的富锂锰基正极材料的制备方法,其特征在于,该方法包含:

步骤1,将富锂锰基正极材料与铵盐充分混合均匀;

步骤2,将步骤1中混合均匀的样品,在300℃~700℃加热处理1~8h,制得表面阴离子改性的正极活性材料。

2. 如权利要求1所述的表面阴离子改性的富锂锰基正极材料的制备方法,其特征在于,步骤1所述的铵盐为氟化铵、氟化氢铵、硫化铵中的一种或几种的混合物。

3.如权利要求2所述的表面阴离子改性的富锂锰基正极材料的制备方法,其特征在于,步骤1所述的铵盐摩尔数为正极活性物质摩尔数的0.1%~20%。

4.如权利要求3所述的表面阴离子改性的富锂锰基正极材料的制备方法,其特征在于,步骤1所述的富锂锰基正极材料为xLi2MnO3·(1-x)[LiNiyCozMn(1-y-z)O2];其中0≤x≤1,0≤y≤1,0≤z≤1且0≤y+z≤1。

5. 如权利要求1所述的表面阴离子改性的富锂锰基正极材料的制备方法,其特征在于,步骤2所述的加热处理,加热速率为1℃/min~5℃/min,保温时间为1~8h。

6. 一种根据权利要求1~5中任一项所述的制备方法制得的表面阴离子改性富锂锰基正极材料。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海空间电源研究所,未经上海空间电源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310436059.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top