[发明专利]一种膜层图案的制作方法在审
| 申请号: | 201310432089.4 | 申请日: | 2013-09-22 |
| 公开(公告)号: | CN103474329A | 公开(公告)日: | 2013-12-25 |
| 发明(设计)人: | 杨玉清;朴承翊;李炳天 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L23/50 |
| 代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 图案 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种膜层图案的制作方法。
背景技术
目前,在制作液晶显示屏、电致发光器件、触控模组以及太阳能电池等器件时,需要采用薄膜形成相对应部件的图案。例如,在制备液晶显示屏中的栅极、源极、漏极、像素电极等部件以及电容式触控模组的触控电极时,都需要在对应膜层制作这些部件的图案。
传统制作膜层图案的方法一般是采用掩模工艺,例如,在制作电容式触控模组的触控电极时,一般先在衬底基板上磁控溅射一层的ITO(Indium Tin Oxides,铟锡氧化物)膜层,然后在ITO膜层上涂覆光刻胶,再利用掩模板的图案对光刻胶进行曝光显影处理,接着湿法刻蚀ITO膜层,最后剥离剩下的光刻胶,得到所需的触控电极的图案。
可以看出,上述传统的膜层图案的制作方法工序较为复杂,而且,在制作过程中使用的掩膜板成本较高,也会导致制作膜层图案的成本较高。因此,如何简化膜层图案的制作步骤,并降低膜层图案的制作成本,是本领域技术人员需要解决的技术问题。
发明内容
有鉴于此,本发明实施例提供一种膜层图案的制作方法,用以解决现有的膜层图案的制作步骤较复杂且成本较高的问题。
因此,本发明实施例提供了一种膜层图案的制作方法,包括:
采用可擦除的制剂在基板上形成第一膜层图案;
在形成有所述第一膜层图案的基板上制备第二膜层;
清除所述基板上的所述第一膜层图案以及所述第二膜层覆盖所述第一膜层图案的区域,得到与所述第一膜层图案互补的第二膜层图案。
本发明实施例提供的上述膜层图案的制作方法,先在基板上利用可擦除的制剂制作与所需的膜层图案相互补的膜层图案,然后在互补的膜层图案上形成整层的膜层,接着通过清除互补的膜层图案的方式得到所需的膜层图案,相对于传统的采用掩膜板制备膜层图案的方式,省去了曝光显影、以及刻蚀剥离等工艺,可以简化制作工艺;并且,在制作过程中省去了掩膜板的使用,可以降低膜层图案的制作成本。
具体地,所述采用可擦除的制剂在基板上形成第一膜层图案,包括:
采用绘制图案或印刷的方式,在基板上形成第一膜层图案。
较佳地,所述在形成有所述第一膜层图案的基板上制备第二膜层,包括:
采用镀膜工艺在形成有所述第一膜层图案的基板上制备所述第二膜层。
进一步地,所述第二膜层为透明导电氧化物膜层或金属膜层。
具体地,所述透明导电氧化物膜层为铟锡氧化物膜层。
具体地,所述清除所述基板上的所述第一膜层图案以及所述第二膜层覆盖所述第一膜层图案的区域,包括:
采用擦除的方式或采用清洗剂的方式,清除所述基板上的所述第一膜层图案以及所述第二膜层覆盖所述第一膜层图案的区域。
较佳地,所述清洗剂与所述可擦除的制剂的极性相同。
具体地,所述可擦除的制剂为墨水,所述清洗剂为乙醇溶液或丙酮溶液
附图说明
图1为本发明实施例提供的膜层图案的制作方法的流程图;
图2为本发明实施例提供的基板上制作第一膜层图案的示意图之一;
图3为本发明实施例提供的基板上制作第一膜层图案的示意图之二;
图4为本发明实施例提供的基板上制作完第一膜层图案的结构示意图;
图5为本发明实施例提供的基板上制作完第二膜层的结构示意图;
图6为本发明实施例提供的基板上清除第一膜层图案的示意图之一;
图7为本发明实施例提供的基板上清除第一膜层图案的示意图之二;
图8为本发明实施例提供的基板上清除第一膜层图案后的结构示意图;
图9为图8沿BB方向的截面图。
具体实施方式
下面结合附图,对本发明实施例提供的膜层图案的制作方法的具体实施方式进行详细地说明。
附图中各膜层的厚度不反映其真实比例,各膜层图案的形状不仅限于此,目的只是示意说明本发明内容。
本发明实施例提供的一种膜层图案的制作方法,如图1所示,具体步骤包括:
S101、采用可擦除的制剂在基板上形成第一膜层图案;
S102、在形成有第一膜层图案的基板上制备第二膜层;
S103、清除基板上的第一膜层图案以及第二膜层覆盖第一膜层图案的区域,得到与第一膜层图案互补的第二膜层图案。
具体地,上述制作方法中所指的基板可以是衬底基板,也可以是形成有其他膜层的基板,在此不做限定。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310432089.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





