[发明专利]一种膜层图案的制作方法在审
| 申请号： | 201310432089.4 | 申请日： | 2013-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN103474329A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 杨玉清;朴承翊;李炳天 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L23/50 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 图案 制作方法 | ||
1.一种膜层图案的制作方法，其特征在于，包括：
采用可擦除的制剂在基板上形成第一膜层图案；
在形成有所述第一膜层图案的基板上制备第二膜层；
清除所述基板上的所述第一膜层图案以及所述第二膜层覆盖所述第一膜层图案的区域，得到与所述第一膜层图案互补的第二膜层图案。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用可擦除的制剂在基板上形成第一膜层图案，包括：
采用绘制图案或印刷的方式在基板上形成第一膜层图案。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在形成有所述第一膜层图案的基板上制备第二膜层，包括：
采用镀膜工艺在形成有所述第一膜层图案的基板上制备所述第二膜层。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第二膜层为透明导电氧化物膜层或金属膜层。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述透明导电氧化物膜层为铟锡氧化物膜层。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述清除所述基板上的所述第一膜层图案以及所述第二膜层覆盖所述第一膜层图案的区域，包括：
采用擦除的方式或采用清洗剂的方式，清除所述基板上的所述第一膜层图案以及所述第二膜层覆盖所述第一膜层图案的区域。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述清洗剂与所述可擦除的制剂的极性相同。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述可擦除的制剂为墨水，所述清洗剂为乙醇溶液或丙酮溶液。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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