[发明专利]半导体器件及形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底内形成体区和漂移区；

在所述半导体衬底表面形成掩膜层，所述掩膜层具有若干平行排列的开口，所述开口的位置对应于漂移区的位置，且相邻开口的宽度不相同；

以所述掩膜层为掩膜，对半导体衬底进行刻蚀，形成若干平行排列的沟槽，且相邻沟槽的深度不相同；

利用氧化工艺使得不同沟槽之间的半导体衬底被完全氧化；

在所述沟槽内填充满电介质材料，形成底部为阶梯状的第一浅沟槽隔离结构；

在所述体区内形成体区连接区和源区，在所述漂移区内且位于第一浅沟槽隔离结构远离体区的一侧形成漏区；

在所述半导体衬底表面形成横跨所述体区和漂移区边缘的栅极结构，且所述栅极结构覆盖部分第一浅沟槽隔离结构表面。

2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，当所述半导体器件为横向双扩散MOS晶体管时，所述源区、漏区和漂移区的掺杂类型相同，所述体区、体区连接区的掺杂类型相同且与源区、漏区和漂移区的掺杂类型相反。

3.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，当所述半导体器件为横向绝缘栅双极晶体管时，所述源区和漂移区的掺杂类型相同，所述体区、体区连接区和漏区的掺杂类型相同且与源区、漂移区的掺杂类型相反。

4.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，相邻沟槽之间的间距相等。

5.如权利要求4所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，相邻沟槽之间的间距大于或等于当前工艺下的特征尺寸。

6.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述形成沟槽的刻蚀工艺为反应离子刻蚀工艺或电感耦合等离子体刻蚀工艺。

7.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述氧化工艺为热氧化工艺，利用热氧化工艺形成的第一氧化层的厚度大于或等于相邻沟槽之间的半导体衬底的宽度的一半。

8.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在所述沟槽内填充满电介质材料的工艺为高密度等离子体化学气相沉积工艺、低压化学气相沉积工艺或等离子体增强化学气相沉积工艺。

9.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一浅沟槽隔离结构与其他区域的浅沟槽隔离结构同时形成。

10.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一浅沟槽隔离结构的阶梯数量大于等于2。