[发明专利]用于薄膜沉积的掩膜框架组件

说明书

相关专利申请的交叉引用

本申请要求于2012年11月30日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请第10-2012-0138521号的优先权和利益，其公开内容通过引用全部合并于此。

技术领域

本发明实施例涉及一种用于薄膜沉积的掩膜框架组件，其能够减少或防止掩膜的变形。

背景技术

通常，包括薄膜晶体管（TFT）的有机发光显示设备被用于诸如数字照相机、视频照相机、便携式摄像机、个人数字助理（PDA）、智能手机、平板个人计算机（PC）和柔性显示设备的移动设备或诸如超薄电视（TV）和超薄膝上型计算机的电子和电气产品。

有机发光显示设备包括形成在基板上的第一电极和第二电极以及形成在第一电极与第二电极之间的有机发射层。第一电极、第二电极和有机发射层使用诸如光刻方法或沉积方法的各种方法形成。

光刻方法为通过将光致抗蚀剂涂覆在基板的预定区域上来形成期望图案层的湿法蚀刻方法。然而，在光刻方法中，在移除光致抗蚀剂期间，湿气可穿入有机发射层。如此，有机发光显示设备的性能和寿命特性久而久之可极大地恶化。

沉积方法为通过将具有与薄膜层相同图案的精细金属掩膜沉积在基板上并通过将用于形成薄膜层的原材料沉积在基板上来形成期望图案层的方法。

然而，当掩膜被安装在掩膜框架上时，由于施加到掩膜的张力，在掩膜上可产生波形皱褶。如果皱褶产生，则掩膜可能不紧密接触基板，这可由此防止形成精细图案。

发明内容

本发明实施例提供一种用于薄膜沉积的掩膜框架组件，该掩膜框架组件能够减少或防止在将掩膜安装在掩膜框架上时产生的皱褶。

根据本发明一方面，提供一种用于薄膜沉积的掩膜框架组件，所述掩膜框架组件包括：具有开口的掩膜框架；和掩膜，该掩膜被构造为被联接到所述掩膜框架，并包括面对沉积基板的第一表面、与所述第一表面相反的第二表面和具有变化的厚度的防变形部。

所述掩膜进一步包括：沉积区域，所述沉积区域中的每个均包括沿着所述掩膜的第一方向彼此隔开的沉积图案；所述沉积区域中相邻的沉积区域之间的肋；和沿着所述掩膜的与所述第一方向相交的第二方向的在所述沉积区域的边缘处的边界，并且所述防变形部可在所述边界处。

所述掩膜可被构造为沿所述第一方向被拉伸，并且所述掩膜的两个端部分可被构造为被焊接到所述掩膜框架。

所述掩膜可包括多个拼合掩膜，所述第一方向可为所述拼合掩膜的长度方向，并且所述第二方向可为所述拼合掩膜的宽度方向。

所述掩膜的宽度可小于所述掩膜的长度，并且所述掩膜可被构造为沿所述掩膜的长度方向被拉伸。

所述防变形部可在所述边界处沿着所述掩膜的所述第一方向延伸，并且所述防变形部可包括具有第一厚度的多个第一部分和具有比所述第一厚度小的第二厚度的多个第二部分。

所述防变形部可包括多个防变形区域，并且所述防变形区域可包括沿着所述掩膜的所述第一方向交替布置的所述第一部分和所述第二部分。

所述边界中的每个均可包括沿着所述掩膜的所述第二方向的多个线条，并且所述防变形区域中对应的防变形区域可沿着所述第一方向位于每个线条中。

所述防变形区域沿所述第二方向的宽度可小于所述沉积区域沿所述第一方向的宽度，并可小于所述肋沿所述第一方向的宽度。

所述防变形区域中的每个沿所述第一方向的尺寸可对应于所述第一部分或所述第二部分之一。

所述第一部分沿所述掩膜的厚度方向可不被蚀刻，并且所述第二部分沿所述掩膜的所述厚度方向可被半蚀刻。

所述第二部分可包括所述掩膜的从所述第二表面被半蚀刻的区域，并可具有比所述掩膜的其它部分的厚度小的厚度。

所述肋中的每个均可在相邻的沉积区域之间，并可包括被半蚀刻的第一区域以及未被半蚀刻的第二区域。

所述肋的所述第二区域可具有至少一个虚拟图案。

所述虚拟图案可包括点形缝隙图案或长条形缝隙图案。

所述肋沿所述第一方向的宽度可小于所述沉积区域沿所述第一方向的宽度。

所述掩膜在所述沉积区域的沿着所述第一方向的外侧可进一步包括半区域、固定区域和具有虚拟沉积图案的虚拟沉积区域。

所述固定区域沿所述掩膜的厚度方向可不被蚀刻，并可被构造为被焊接到所述掩膜框架。

所述掩膜框架组件可进一步包括从所述沉积区域的外侧向所述掩膜的端部按顺序布置的第一半区域、第一固定区域、第二半区域、虚拟沉积区域和第二固定区域。

所述沉积图案可包括点形缝隙图案或长条形缝隙图案。