[发明专利]用于薄膜沉积的掩膜框架组件在审
申请号: | 201310428576.3 | 申请日: | 2013-09-18 |
公开(公告)号: | CN103855325A | 公开(公告)日: | 2014-06-11 |
发明(设计)人: | 吴允灿;李忠浩 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L31/18 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 李文颖;周艳玲 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 薄膜 沉积 框架 组件 | ||
1.一种用于薄膜沉积的掩膜框架组件,所述掩膜框架组件包括:
具有开口的掩膜框架;和
掩膜,该掩膜被构造为被联接到所述掩膜框架,并包括:
面对沉积基板的第一表面:
与所述第一表面相反的第二表面;和
具有变化的厚度的防变形部。
2.根据权利要求1所述的掩膜框架组件,其中所述掩膜进一步包括:
沉积区域,所述沉积区域中的每个均包括沿着所述掩膜的第一方向彼此隔开的沉积图案;
所述沉积区域中相邻的沉积区域之间的肋;和
沿着所述掩膜的与所述第一方向相交的第二方向的在所述沉积区域的边缘处的边界,
其中所述防变形部在所述边界处。
3.根据权利要求2所述的掩膜框架组件,其中所述掩膜被构造为沿所述第一方向被拉伸,并且
其中所述掩膜的两个端部分被构造为被焊接到所述掩膜框架。
4.根据权利要求2所述的掩膜框架组件,其中所述掩膜包括多个拼合掩膜,
其中所述第一方向为所述多个拼合掩膜的长度方向,并且
其中所述第二方向为所述多个拼合掩膜的宽度方向。
5.根据权利要求4所述的掩膜框架组件,其中所述掩膜的宽度小于所述掩膜的长度,并且
其中所述掩膜被构造为沿所述掩膜的长度方向被拉伸。
6.根据权利要求2所述的掩膜框架组件,其中所述防变形部在所述边界处沿着所述掩膜的所述第一方向延伸,并且
其中所述防变形部包括具有第一厚度的多个第一部分和具有比所述第一厚度小的第二厚度的多个第二部分。
7.根据权利要求6所述的掩膜框架组件,其中所述防变形部包括多个防变形区域,并且
其中所述多个防变形区域包括沿着所述掩膜的所述第一方向交替布置的所述多个第一部分和所述多个第二部分。
8.根据权利要求7所述的掩膜框架组件,其中所述边界中的每个均包括沿着所述掩膜的所述第二方向划分的多个线条,并且
其中所述多个防变形区域中对应的防变形区域沿着所述第一方向位于所述多个线条的每个中。
9.根据权利要求7所述的掩膜框架组件,其中所述多个防变形区域沿所述第二方向的宽度小于所述沉积区域沿所述第一方向的宽度,并小于所述肋沿所述第一方向的宽度。
10.根据权利要求7所述的掩膜框架组件,其中所述多个防变形区域中的每个沿所述第一方向的尺寸对应于所述多个第一部分和所述多个第二部分之一。
11.根据权利要求6所述的掩膜框架组件,其中所述多个第一部分沿所述掩膜的厚度方向不被蚀刻,并且
其中所述多个第二部分沿所述掩膜的所述厚度方向被半蚀刻。
12.根据权利要求11所述的掩膜框架组件,其中所述多个第二部分包括所述掩膜的从所述第二表面被半蚀刻的区域,并具有比所述掩膜的其它部分的厚度小的厚度。
13.根据权利要求2所述的掩膜框架组件,其中所述肋中的每个均在相邻的沉积区域之间,并包括被半蚀刻的第一区域以及未被半蚀刻的第二区域。
14.根据权利要求13所述的掩膜框架组件,其中所述肋的所述第二区域具有至少一个虚拟图案。
15.根据权利要求14所述的掩膜框架组件,其中所述至少一个虚拟图案包括点形缝隙图案或长条形缝隙图案。
16.根据权利要求13所述的掩膜框架组件,其中所述肋沿所述第一方向的宽度小于所述沉积区域沿所述第一方向的宽度。
17.根据权利要求2所述的掩膜框架组件,其中所述掩膜在所述沉积区域的沿着所述第一方向的外侧处进一步包括:
半区域;
固定区域;和
具有虚拟沉积图案的虚拟沉积区域。
18.根据权利要求17所述的掩膜框架组件,其中所述固定区域沿所述掩膜的厚度方向不被蚀刻,并被构造为焊接到所述掩膜框架。
19.根据权利要求2所述的掩膜框架组件,进一步包括从所述沉积区域的外侧向所述掩膜的端部按顺序布置的第一半区域、第一固定区域、第二半区域、虚拟沉积区域和第二固定区域。
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