[发明专利]具有气隙的半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：

在衬底之上形成绝缘层；

在所述绝缘层中形成开口部；

在所述开口部的侧壁之上形成牺牲间隔件；

在所述开口部的下部将第一导电图案形成在所述牺牲间隔件之上；

在所述第一导电图案之上形成欧姆接触层；

通过去除所述牺牲间隔件来形成气隙；

通过在所述欧姆接触层之上形成阻挡层来覆盖所述气隙；以及

在所述阻挡层之上形成第二导电图案以填充所述开口部的上部。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述阻挡层的形成在所述欧姆接触层的顶表面之上和侧壁之上的部分具有第一厚度，并且所述阻挡层的在所述气隙之上形成在所述开口部的侧壁之上的部分具有比所述第一厚度小的第二厚度。

3.如权利要求1所述的方法，其中，覆盖所述气隙还包括以下步骤：

在所述欧姆接触层之上形成第一阻挡层以覆盖所述气隙，其中，所述第一阻挡层覆盖所述欧姆接触层的顶表面和侧壁，并且覆盖所述开口部的侧壁；以及

在所述第一阻挡层之上形成第二阻挡层。

4.如权利要求3所述的方法，其中，所述第一阻挡层通过电离金属等离子体的物理气相沉积方法来形成。

5.如权利要求3所述的方法，其中，所述第二阻挡层通过化学气相沉积方法来形成。

6.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一导电图案、所述欧姆接触层、以及所述第二导电图案形成插塞。

7.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一导电图案包括硅，所述第二导电图案包括金属。

8.如权利要求1所述的方法，还包括以下步骤：

在形成所述气隙之后执行退火工艺以引起所述欧姆接触层中的相变。

9.如权利要求8所述的方法，其中，所述欧姆接触层包括具有CoSi_x相的硅化钴，其中x＝大约0.1至大约1.5，并且其中，引起所述欧姆接触层中的相变还包括以下步骤：

通过所述退火工艺来将具有所述CoSi_x相的硅化钴改变成具有CoSi₂相的硅化钴，其中x＝大约0.1至大约1.5。

10.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

在衬底之上形成多个第一导电图案；

在包括所述第一导电图案的所述衬底的整个表面之上形成绝缘层；

通过刻蚀所述绝缘层而在所述第一导电图案之间形成开口部；

在所述开口部的侧壁之上形成牺牲间隔件；

在所述开口部的下部将第二导电图案形成在所述牺牲间隔件之上；

在所述第二导电图案之上形成欧姆接触层；

通过去除所述牺牲间隔件来形成气隙；

通过在所述欧姆接触层之上形成阻挡层来覆盖所述气隙；以及

在所述阻挡层之上形成第三导电图案以填充所述开口部的上部。

11.如权利要求10所述的方法，覆盖所述气隙还包括以下步骤：

在所述欧姆接触层之上形成第一阻挡层以覆盖所述气隙，其中，所述第一阻挡层覆盖所述欧姆接触层的顶表面和侧壁，并且覆盖所述开口部的侧壁；以及

在所述第一阻挡层之上形成第二阻挡层。

12.如权利要求11所述的方法，其中，所述第一阻挡层的形成在所述欧姆接触层的顶表面之上和侧壁之上的部分具有第一厚度，并且所述第一阻挡层的在所述气隙之上形成在所述开口部的侧壁之上的部分具有比所述第一厚度小的第二厚度。

13.如权利要求11所述的方法，其中，所述第一阻挡层通过电离金属等离子体的物理气相沉积方法来形成。