[发明专利]一种测量等离子体室放出的电子量的方法

说明书

技术领域

本发明是一种测量等离子体室放出的电子量的方法，安全可控的得到中和靶面上的正离子所需要的合适的电子流。

背景技术

集成电路制造技术及工艺是关乎国计民生的战略性工程，对保障国家安全和增强综合国力具有重大战略意义，是一种高新技术产业。集成电路芯片制造概括的来讲就是将元器件做在极小半导体芯片上的过程。通常情况下，要完成集成电路芯片的制造过程需要数十种工艺设备的数百道工序。一条工艺线主要有曝光、刻蚀、离子注入、氧化、镀膜等工艺，这些工艺多次循环往复进行。离子注入技术与常规热掺杂工艺相比具有高精度的剂量均匀性与重复性，横向扩散小等优点。离子注入克服了常规工艺的限制，提高了电路的集成度、速度、成品率和寿命，降低了成本和功耗，因此离子注入机广泛用于掺杂工艺，当代VLSI、ULSI等工艺重要特征之一就是“全离子注入”。离子注入对控制半导体的掺杂剖面，结深，保证器件各项电参数非常重要。

经过对低能大束流项目的指标参数和工艺要求分析，但由于工艺技术代和工艺特点不同，为了中和靶面上的正离子，所以需要得到合适的电子流，通过PFG Emission current测得不同弧流下的采样值，从而测得此时的电子量，然后可以调节PFG自身的灯丝电压和弧压，从而产生更多的电子去中和靶面上的正离子，得到更高质量的产品。

发明内容

本发明针对一种测量等离子体室放出的电子量的方法，采用采样隔离和控制电路。

本发明通过以下技术方案实现：

1.一种测量等离子体室放出的电子量的方法，其图1工作流程框图包括：PFG电子发生器(1)、PFG EMISSION CURRENT电子测量装置(2)、PSI控制器(3)、灯丝电压(4)、弧压(5)。PFG EMISSION CURRENT原理图图2说明了测量装置原理。其中包括采样电阻、放大器AD8221、同相放大器、电压跟随器电路组成。此方法检测PFG电子发生器溢出的电子情况。

2.如权利要求1所述一种测量等离子体室放出的电子量的方法，其特征在于，其中所述的采样电阻的大小，控制输出的值的取值量程公式U＝I*R*K；R＝U/I*K(此电路的放大倍数K＝50，采样电流为I＝10mA，对应的AIN5为U＝10V)。为了使电路采样信号稳定放大，整个电路中用放大器AD8221和同相放大器，从而达到电路满足电气需要，通过电压跟随器，从而达到滤去电路内部干扰波的目的。

3.如权利要求1所述的一种测量等离子体室放出的电子量的方法，其特征在于，其中所述的PFG EMISSION CURRENT电子测量装置(2)采样量输入给PSI控制器(3)，进而输出数字量给上位机，上位机通过设定的算法计算出显示值，从而达到检测电子量的目的。进而达到提高产品质量的目的。

本发明具有如下优点：

为了中和靶面上的正离子，所以需要得到合适的电子流，通过PFG Emission current测得不同弧流下的采样值，从而测得此时的电子量，然后可以调节PFG自身的灯丝电压和弧压，从而产生更多的电子去中和靶面上的正离子，得到更高质量的产品。

附图说明

图1PFG Emission current工作流程图

图2PFG EMISSION CURRENT原理图

具体实施方式

下面结合附图的具体实施例对本发明作进一步介绍，这些描述都是说明性的，本发明不限于此。本发明的范围仅由所附权利要求的范围所限定。

一种测量等离子体室放出的电子量的方法，其图1工作流程框图包括：PFG电子发生器(1)、PFG EMISSION CURRENT电子测量装置(2)、PSI控制器(3)、灯丝电压(4)、弧压(5)。此方法检测PFG电子发生器溢出的电子情况。工作流程：首先(1)PFG中等离子体中的电子受到正离子束的吸引，产生的电子流进入(2)PFG Emission current装置的采集信号，采集的信号通过处理后，送到(3)PSI处理器，PSI通过自身的算法得到一个反馈值到CPU显示出来。从而达到测量等离子体中的电子受到正离子束的吸引的电子量大小的目的。通过调节(1)PFG电子发生器的灯丝电流(4)和弧压(5)使电子量达到需要的效果。从而达到安全可控的为负载提供高压能量。