[发明专利]探针阻抗匹配方法

说明书

技术领域

本发明关于一种探针阻抗匹配向下调整方法，特别是加工一具有高于目标阻抗值的探针半成品，以使最终的探针产品具有与目标阻抗值相同或极接近的探针阻抗匹配方法。

背景技术

随着科技日新月异，各种电子产品逐趋复杂，而针对产品内部的组件性质检测精准度要求，亦有日渐提升的趋势。无论是印刷电路板或是电子零件，其是否能正常运作，阻抗是否匹配是其关键因素。因此对高速产品出厂前，阻抗是否匹配是必经的测试。对相关制造组装者而言，对产品阻抗的量测通常借由时域反射法（Time domain reflectometry,TDR）及TDR探针量测，透过收发侦测波以判断各种特性及阻抗是否匹配。

为得到好的量测结果，探针本身必须是阻抗匹配或接近阻抗匹配，在探针的制造过程中，由于阻抗易受到材料介电常数变化（material dielectric constant variation）、走线蚀刻过程质量控制或走线金属厚度等许多因素所影响，囿于蚀刻或其他制程中所产生难以避免的误差，制造商难以将探针成品的线路阻抗值（trace impedance）恰好符合所需的目标阻抗值（target impedance）。而此项制程技术问题，不仅造成探针成品于使用时的检测讯号有误，使探针无法确切发挥功效，更容易毁败制造商的信誉。

有鉴于此，提供一种探针阻抗匹配方法，使探针于制造过程中能轻易达成所欲的目标阻抗，以使探针运作良好顺畅，便为此一业界亟欲达成的目标。

发明内容

本发明的一目的为提供一种探针的阻抗匹配方法，避免探针因制程的误差影响侦测值。

为达上述目的及其他目的，本发明的探针阻抗匹配方法，包含：提供一探针半成品，该探针半成品包含一接地层、一基板及一探针层，该接地层与该探针层由该基板绝缘地间隔开，该探针半成品具有一初始阻抗值；以及，形成至少一具特定介电常数的介电层于该基板及该探针层之上，以使该初始阻抗向下调整至一目标阻抗值。

于一实施例中，本发明的探针阻抗匹配方法于执行形成至少一介电层于该基板及该探针层之上的步骤后，还包含于该至少一具特定介电常数的介电层上形成至少一调节块的步骤。

为了让上述的目的、技术特征和优点能够更为本领域的技术人员所知悉并应用，下文以本发明的数个较佳实施例以及附图进行详细的说明。

附图说明

图1A为本发明第一实施例的探针上视图；

图1B为图1A的探针局部剖面示意图；

图2为本发明第一实施例的探针阻抗匹配流程图；

图3A为本发明第二实施例的探针上视图；

图3B为图3A的探针局部剖面示意图；以及

图4为本发明第二实施例的探针阻抗匹配流程图。

具体实施方式

以下将透过实施例来解释本发明内容，然而，关于实施例中的说明仅为阐释本发明的技术内容及其目的功效，而非用以直接限制本发明。须说明者，以下实施例以及附图中，与本发明非直接相关的组件已省略而未绘示；且图标中各组件的尺寸及相对位置关系仅用以示意俾便了解，非用以限制实施比例及尺寸大小。

请同时参考图1A及图1B，图1A为本发明的第一实施例的探针上视图，图1B则为图1A的探针沿X-X’线的局部剖面示意图。于本实施例中，探针1包含依序层迭的一接地层11、一基板13、一探针层15及一第一介电层17a及一第二介电层17b。其中，接地层11与探针层15由导体制成，而基板13与介电层17均由绝缘材料制成。借此，设置于接地层11与探针层15之间的基板13可将两者绝缘地间隔开。

请同时参考图2，为使上述探针1具有所需的目标阻抗值，本实施例便于制造探针1的过程中同时进行阻抗的匹配调整。首先，于步骤101中，提供一探针半成品；此探针半成品包含接地层11、基板13及探针层15，如前所述，接地层11与探针层15由基板13绝缘地间隔开。此时，探针半成品具有一初始阻抗值，其为大于探针1所需的一目标阻抗值约3%至5%。

接着于步骤103中，形成第一介电层17a于基板13及探针层15的表面上。如图1A所示，探针层15形成于基板13之上，而探针层15小于基板13，是以第一介电层17a将同时覆盖基板13与探针层15。