[发明专利]显示装置以及其制造方法在审
| 申请号: | 201310412406.6 | 申请日: | 2013-09-11 |
| 公开(公告)号: | CN103872074A | 公开(公告)日: | 2014-06-18 |
| 发明(设计)人: | 金埈永 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 余朦;杨莘 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示装置 及其 制造 方法 | ||
相关专利申请的交叉引用
本申请要求于2012年12月11日提交到韩国知识产权局的第10-2012-0143834号韩国专利申请的权益,该申请的全文通过引用并入本文。
技术领域
本发明涉及装置和该装置的制造方法,尤其是显示装置和显示装置的制造方法。
背景技术
传统的沉积设备包括:衬底保持器,其上安装有衬底;加热坩埚(或蒸发舟),包含电致发光(EL)材料,即沉积材料;关闭件,用于防止待升华的电致发光材料上升;以及加热器,用于对加热坩埚中的电致发光材料进行加热。通过加热器加热的电致发光材料被升华并被沉积在旋转衬底上。为了形成均匀的膜,衬底与加热坩埚之间的距离通常应至少为1米。
当考虑制造使用红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)光颜色的全彩平板显示器时,因为成膜的精度不高,所以可以设计不同像素之间宽间隔,或者可以在像素之间形成被称为堆(bank)的绝缘体。
此外,对于具有高分辨率(例如,大量的像素)、高孔径比和高可靠性的全彩平板显示器的需求增加。然而,因为随着分辨率(像素数)和发光装置的尺寸(形状因素)增加使得在各个有机发光层中的节距变得精细,所以这种需求是具有挑战性的。同时也存在着对于高产量和低成本的需求。
发明内容
本发明提供在混合图案化期间允许上层膜与下层膜之间的强粘附力的显示装置和该显示装置的制造方法。
根据本发明一方面,提供显示装置,包括:第一衬底;发光部分,形成在第一衬底上;以及密封部分,被附接到第一衬底以保护发光部分免受周围环境条件影响,其中第一衬底的边缘的至少一部分被倒角。
第一衬底的边缘在厚度方向上具有三角形横截面。
第一衬底的边缘可以从上面形成有发光部分的第一衬底的一个表面向着第一衬底的边缘倒角。
另外,第一衬底的边缘可以从上面未形成有发光部分的第一衬底的另一个表面向着第一衬底的边缘倒角。
第一衬底的末端分别可以从第一衬底的两个表面向着第一衬底的边缘倒角。
发光部分可以包括有机发光层,并且其中,有机发光层包括蓝色发光层、红色发光层、绿色发光层和白色发光层中的至少一个。
通过使用精细金属掩膜工艺形成蓝色发光层。
通过使用激光感应热成像(LITI)工艺形成红色发光层和绿色发光层中的至少一个。
白色发光层形成自蓝色发光层、红色发光层和绿色发光层的层叠。
根据本发明另一方面,提供显示装置的制造方法,该制造方法包括:提供具有倒角的边缘的第一衬底;将缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅电极、层间绝缘层、源电极、漏电极、钝化层、像素限定膜和像素电极以此顺序层叠在第一衬底上;以及通过精细金属掩膜工艺和激光感应热成像(LITI)工艺,在由像素限定膜限定的像素中的像素电极上形成有机发光层。
通过使用抛光工艺倒角第一衬底的边缘。
形成有机发光层的步骤包括:通过使用精细金属掩膜工艺将蓝色发光层沉积在像素电极上并且通过使用激光感应热成像工艺将绿色发光层和红色发光层转印到像素电极上。
激光感应热成像工艺包括:将绿色发光层转印到像素电极上并且之后将红色发光层转印在像素电极上。
通过激光感应热成像工艺将绿色发光层和红色发光层转印到像素电极上的步骤包括:将第一衬底设置在下层膜上;通过在基底膜上转印上面图案化有红色发光层和绿色发光层之一的转印层来准备上层膜;将上层膜布置在第一衬底上并且通过排气层压上层膜和下层膜;以及通过激光束照射上层膜并且将红色发光层和绿色发光层中的一个转印到像素电极上。
将绿色发光层和红色发光层转印到像素电极上的步骤进一步包括:在激光束照射之后去除上层膜和下层膜。
显示装置的制造方法进一步包括:将相对电极形成在上面已形成有有机发光层的像素限定膜上,并且通过密封部分密封相对电极。
该制造方法进一步包括:将第一衬底切分为多个衬底并且彼此分离多个衬底。
形成有机发光层的步骤包括:通过沉积或转印蓝色发光层、绿色发光层和红色发光层形成白色发光层。
显示装置和该显示装置的制造方法在第一衬底的边缘上允许上层膜与下层膜之间的完全附接,由此提升上层膜与下层膜之间的粘附力。
显示装置和该显示装置的制造方法消除由于第一衬底的厚度导致上层膜未被附接到下层膜的部分,由此防止第一衬底的移动并且允许将发光层转印到像素限定膜129上的精确位置上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





