[发明专利]显示装置以及其制造方法在审
| 申请号: | 201310412406.6 | 申请日: | 2013-09-11 |
| 公开(公告)号: | CN103872074A | 公开(公告)日: | 2014-06-18 |
| 发明(设计)人: | 金埈永 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 余朦;杨莘 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种显示装置,包括:
第一衬底;
发光部分,形成在所述第一衬底上;以及
密封部分,被附接到所述第一衬底以保护所述发光部分免受周围环境条件影响,
其中,所述第一衬底的边缘的至少一部分被倒角。
2.如权利要求1所述的装置,其中,
所述第一衬底的所述边缘在厚度方向上具有三角形横截面。
3.如权利要求1所述的装置,其中,
所述第一衬底的所述边缘从所述第一衬底的上面形成有所述发光部分的一个表面向着所述第一衬底的边缘倒角。
4.如权利要求1所述的装置,其中,
所述第一衬底的所述边缘从所述第一衬底的上面未形成有所述发光部分的另一个表面向着所述第一衬底的边缘倒角。
5.如权利要求1所述的装置,其中,
所述第一衬底的末端分别从所述第一衬底的两个表面向着所述第一衬底的边缘倒角。
6.如权利要求1所述的装置,其中,
所述发光部分包括有机发光层;以及
其中,所述有机发光层包括蓝色发光层、红色发光层、绿色发光层和白色发光层中的至少一个。
7.如权利要求6所述的装置,其中,
通过使用精细金属掩膜工艺形成所述蓝色发光层。
8.如权利要求6所述的装置,其中,
通过使用激光感应热成像工艺形成所述红色发光层和所述绿色发光层中的至少一个。
9.如权利要求6所述的装置,其中,
所述白色发光层形成自所述蓝色发光层、所述红色发光层和所述绿色发光层的层叠。
10.一种显示装置的制造方法,所述方法包括:
提供具有倒角的边缘的第一衬底;
将缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅电极、层间绝缘层、源电极、漏电极、钝化层、像素限定膜和像素电极按此顺序层叠在所述第一衬底上;以及
通过精细金属掩膜工艺和激光感应热成像工艺,在由所述像素限定膜限定的像素中的所述像素电极上形成有机发光层。
11.如权利要求10所述的方法,其中,
通过使用抛光工艺倒角所述第一衬底的所述边缘。
12.如权利要求10所述的方法,其中,所述形成所述有机发光层的步骤包括:
通过使用所述精细金属掩膜工艺将蓝色发光层沉积在所述像素电极上并且通过使用所述激光感应热成像工艺将绿色发光层和红色发光层转印到所述像素电极上。
13.如权利要求12所述的方法,其中,所述激光感应热成像工艺包括:
将所述绿色发光层转印到所述像素电极上并且之后将所述红色发光层转印到所述像素电极上。
14.如权利要求12所述的方法,其中,所述通过所述激光感应热成像工艺将所述绿色发光层和所述红色发光层转印到所述像素电极上的步骤包括:
将所述第一衬底设置在下层膜上;
通过在基底膜上转印上面图案化有所述红色发光层和所述绿色发光层之一的转印层来准备上层膜;
将所述上层膜布置在所述第一衬底上并且通过排气层压所述上层膜和所述下层膜;以及
通过激光束照射所述上层膜并且将所述红色发光层和所述绿色发光层之一转印到所述像素电极上。
15.如权利要求14所述的方法,其中,所述将所述绿色发光层和所述红色发光层转印到所述像素电极上的步骤进一步包括:
在所述激光束照射之后去除所述上层膜和所述下层膜。
16.如权利要求10所述的方法,进一步包括:
将相对电极形成在上面已形成有所述有机发光层的所述像素限定膜上,并且通过密封部分密封所述相对电极。
17.如权利要求10所述的方法,进一步包括:
该制造方法进一步包括:将所述第一衬底切分为多个衬底并且彼此分离所述多个衬底。
18.如权利要求10所述的方法,其中,所述形成所述有机发光层的步骤包括:
通过沉积或转印蓝色发光层、绿色发光层和红色发光层形成白色发光层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





