[发明专利]一种半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201310410784.0 | 申请日： | 2013-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN104425282A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 宋化龙 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件的制造方法，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底上依次形成栅极介电层和栅极材料层；
图案化所述栅极材料层和所述栅极介电层，以形成栅极；
执行LDD注入；
在所述半导体衬底上所述栅极的两侧形成侧墙结构；
其中，所述LDD注入步骤包括第一离子注入步骤和第二离子注入步骤，先执行所述第一离子注入步骤再执行所述第二离子注入步骤或者先执行所述第二离子注入步骤再执行所述第一离子注入步骤，所述第一离子注入的离子剂包括硅或者锗；
在执行LDD注入之后直接进行侧墙薄膜的热处理工艺。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二离子注入的离子为磷。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述LDD注入步骤为先进行磷注入然后进行硅或者锗注入。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述LDD注入步骤为先进行硅或者锗注入然后进行磷注入。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述侧墙结构的方法为化学气相沉积工艺。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述化学气相沉积工艺的反应温度为500℃至800℃，反应时间为10分钟至10小时。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在形成所述侧墙结构之后执行重离子注入以形成源漏区并进行退火的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
