[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

随着薄膜晶体管（Thin Film Transistor，简称TFT）液晶显示技术的不断发展，越来越多的新技术不断地被提出和应用，例如高分辨率、高开口率、阵列基板行驱动（Gate on Array，简称GOA）技术等。其中，为了降低成本得到窄边框的TFT显示面板，GOA结构变得尤为重要。然而，GOA结构的引入同时也带来了阵列基板结构设计的复杂性，增加了制作阵列基板的构图工艺数量及难度。

目前，形成具有GOA结构的TFT阵列基板需要栅金属层掩膜、栅绝缘层掩膜、有源层掩膜、源漏金属层掩膜、第一电极层掩膜、钝化层掩膜、以及第二电极层掩膜等多次构图工艺，且每一次构图工艺中又分别包括成膜、曝光、显影、刻蚀、剥离等工艺。构图工艺的次数过多将直接导致工艺技术难度的增加、产品成本的上升以及产品产能的降低。

因此，在形成具有GOA结构的TFT阵列基板时，如何减少构图工艺的次数，成为人们日益关注的问题。

发明内容

本发明的实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，可减少构图工艺的次数，从而提升量产产品的产能，降低成本。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一方面，提供一种阵列基板，该阵列基板包括像素区和GOA区；所述像素区包括设置在基板上的栅极、有源层的图案、源极和漏极、与所述漏极电连接的像素电极，栅绝缘层的图案设置在所述像素区和所述GOA区；还包括设置在所述GOA区与所述栅极同层的第一电极、与所述有源层的图案同层的有源层保留图案、与所述源极和漏极同层的第二电极，与所述像素电极同层的第一透明电极；其中，所述有源层保留图案和所述第二电极均包括露出所述第一电极的过孔；所述第一透明电极设置在所述第二电极上方、并与所述第二电极和所述第一电极均电连接；所述像素区还包括设置在所述源极上方并与所述像素电极同层的第二透明电极，所述第二透明电极与所述源极电连接。

另一方面，提供一种显示装置，包括上述的阵列基板。

再一方面，提供一种上述阵列基板的制备方法，所述阵列基板包括像素区和GOA区；该制备方法包括：通过一次构图工艺，在所述像素区的衬底基板上形成栅极，在所述GOA区的衬底基板上形成第一电极；通过一次构图工艺，在所述像素区和所述GOA区的基板上形成栅绝缘层的图案，在所述像素区的基板上形成第一图案和位于所述第一图案上方的第二图案，在所述GOA区的基板上形成与所述第一图案同层的有源层保留图案、与所述第二图案同层的第二电极，且所述有源层保留图案和所述第二电极均包括露出所述第一电极的过孔分；其中，所述第一图案对应有源层的图案，所述第二图案对应源极和漏极；通过一次构图工艺，在所述像素区的基板上至少形成所述源极和漏极、与所述漏极电连接的像素电极、位于所述源极上方并与所述源极电连接的第二透明电极，在所述GOA区的基板上形成位于所述第二电极上方并与所述第二电极和所述第一电极均电连接的第一透明电极。

本发明实施例提供了一种阵列基板及其制备方法、显示装置，该阵列基板包括像素区和GOA区；所述像素区包括设置在基板上的栅极、有源层的图案、源极和漏极、与所述漏极电连接的像素电极；栅绝缘层的图案设置在所述像素区和所述GOA区；还包括设置在所述GOA区与所述栅极同层的第一电极、与所述有源层的图案同层的有源层保留图案、与所述源极和漏极同层的第二电极，与所述像素电极同层的第一透明电极；其中，所述有源层保留图案和所述第二电极均包括露出所述第一电极的过孔；所述第一透明电极设置在所述第二电极上方、并与所述第二电极和所述第一电极均电连接；所述像素区还包括设置在所述源极上方并与所述像素电极同层的第二透明电极，所述第二透明电极与所述源极电连接。这样，可以仅通过3次构图工艺便形成阵列基板上的TFT结构和GOA结构，以及像素电极，有效地减少了构图工艺的次数，从而可提升量产产品的产能，降低成本。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的一种包括GOA结构的TFT阵列基板的制备方法流程图；

图2为本发明实施例提供的一种形成栅极和第一电极的结构示意图；