[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，包括像素区和GOA区；所述像素区包括设置在基板上的栅极、有源层的图案、源极和漏极、与所述漏极电连接的像素电极，栅绝缘层的图案设置在所述像素区和所述GOA区；其特征在于，还包括设置在所述GOA区与所述栅极同层的第一电极、与所述有源层的图案同层的有源层保留图案、与所述源极和漏极同层的第二电极，与所述像素电极同层的第一透明电极；

其中，所述有源层保留图案和所述第二电极均包括露出所述第一电极的过孔；所述第一透明电极设置在所述第二电极上方、并与所述第二电极和所述第一电极均电连接；

所述像素区还包括设置在所述源极上方并与所述像素电极同层的第二透明电极，所述第二透明电极与所述源极电连接。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层的图案包括非晶硅图案和n+非晶硅图案；或者

所述有源层的图案包括金属氧化物图案。

3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括设置在所述像素区和所述GOA区的钝化层的图案、以及设置在所述像素区的公共电极。

4.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至3任一项所述的阵列基板。

5.一种阵列基板的制备方法，所述阵列基板包括像素区和GOA区；其特征在于，包括：

通过一次构图工艺，在所述像素区的衬底基板上形成栅极，在所述GOA区的衬底基板上形成第一电极；

通过一次构图工艺，在所述像素区和所述GOA区的基板上形成栅绝缘层的图案，在所述像素区的基板上形成第一图案和位于所述第一图案上方的第二图案，在所述GOA区的基板上形成与所述第一图案同层的有源层保留图案、与所述第二图案同层的第二电极，且所述有源层保留图案和所述第二电极均包括露出所述第一电极的过孔；其中，所述第一图案对应有源层的图案，所述第二图案对应源极和漏极；

通过一次构图工艺，在所述像素区的基板上至少形成所述源极和漏极、与所述漏极电连接的像素电极、位于所述源极上方并与所述源极电连接的第二透明电极，在所述GOA区的基板上形成位于所述第二电极上方并与所述第二电极和所述第一电极均电连接的第一透明电极。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述通过一次构图工艺，在所述像素区和所述GOA区的基板上形成栅绝缘层的图案，在所述像素区的基板上形成第一图案和位于所述第一图案上方的第二图案，在所述GOA区的基板上形成与所述第一图案同层的有源层保留图案、与所述第二图案同层的第二电极，且所述有源层保留图案和所述第二电极均包括露出所述第一电极的过孔；其中，所述第一图案对应有源层的图案，所述第二图案对应源极和漏极包括：

在所述基板上依次形成栅绝缘层薄膜、非晶硅薄膜和n+非晶硅薄膜、以及金属薄膜，并在所述金属薄膜上形成光刻胶；

采用半色调掩膜板或灰色调掩膜板对形成有所述光刻胶的基板进行曝光、显影后，形成光刻胶完全保留部分、光刻胶半保留部分和光刻胶完全去除部分；其中，所述光刻胶完全去除部分对应位于所述GOA区的待形成的露出所述第一电极的过孔；所述光刻胶完全保留部分对应位于所述像素区的待形成的所述第一图案和位于所述第一图案上方的所述第二图案、以及位于所述GOA区的待形成的与所述第一图案同层的所述有源层保留图案和与所述第二图案同层的所述第二电极；所述光刻胶半保留部分对应其他区域；

采用刻蚀工艺去除所述光刻胶完全去除部分的所述金属薄膜、所述n+非晶硅薄膜、所述非晶硅薄膜和所述栅绝缘层薄膜，形成露出所述第一电极的过孔；

采用灰化工艺去除所述光刻胶半保留部分的光刻胶；

采用刻蚀工艺去除露出的所述金属薄膜、所述n+非晶硅薄膜和所述非晶硅薄膜，形成所述第一图案和所述第二图案，以及与所述第一图案同层的所述有源层保留图案和与所述第二图案同层的所述第二电极；其中，所述有源层保留图案和所述第二电极均包括露出所述第一电极的所述过孔；所述第一图案对应所述有源层的图案，所述第二图案对应所述源极和漏极；

采用剥离工艺去除所述光刻胶完全保留部分的光刻胶。