[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。

背景技术

近年来，伴随着系统级封装（system in package）的普及，半导体晶片（wafer）的薄型加工技术受到瞩目。例如，在便携式电话等中使用的堆迭式封装（stacked package）的领域中，开发了在封装（package）的内部层叠有薄化为100μm以下的多个芯片（chip）的产品。半导体晶片的薄化加工通过在半导体晶片形成电路元件等之后，使用减薄砂轮（back grinding wheel）对晶片背面进行磨削来进行。当进行半导体晶片的薄化时，会产生碎屑（chipping）、芯片破裂、半导体晶片的翘曲等，产生成品率降低、生产性降低的问题。为了消除该问题，已知在对半导体晶片进行磨削时，从半导体晶片的外缘起留下例如3mm左右的外周部，只对内周部进行磨削而进行薄化的技术。通过导入这种技术，能谋求晶片的传送风险的减低、翘曲的减低。

在专利文献1中记载了如下的内容，即，在晶片的背面的外周具有环状增强部、在背面整体被覆有金属膜的晶片中，检测通过除去该环状增强部中的金属膜而形成在晶片表面的通路（street）的位置，沿检测的通路从背面侧切削晶片。

此外，在专利文献2中记载了如下的内容，即，将半导体晶片的背面从外周端部起留下规定宽度除去到规定深度而形成肋状物（rib）构造，在形成有肋状物构造的半导体晶片的背面形成金属电极膜，基于通过设置在半导体晶片的表面侧的照相机拍摄的表面侧元件构造部的形成位置，在半导体晶片的背面形成半导体晶片的切断位置调节用标记，使用该切断位置调节用标记将半导体晶片切断为芯片状。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：专利第4749849号公报；

专利文献2：特开2008－187148号公报。

发明内容

发明要解决的课题

在将半导体晶片呈芯片状地进行切单的切割（dicing）工序中，通常来说，半导体晶片在其背面侧粘贴有切割胶带（dicing tape），以支承在该切割胶带上的状态被设置在切割装置。此后，通过使切割刀沿在半导体晶片的表面划定的切割线（dicing line）或位置线（scribe line）进行扫掠，从而进行切割。

然而，在像上述那样的通过只对半导体晶片的背面的内周部分进行磨削而进行薄化的半导体晶片中，在外周部与内周部之间具有台阶。在这样的具有台阶的半导体晶片的背面粘贴切割胶带来稳定地支承半导体晶片是困难的。因此，在经过背面电极形成工序、检查工序等之后，在进一步的磨削工序中进行半导体晶片的背面的外周部分的磨削，对晶片背面进行平坦化。然而，在该情况下，需要两次的磨削工序，会导致成本上升。因此，优选在不具有台阶的晶片表面侧粘贴切割胶带，从晶片背面侧进行切割。另外，在从晶片背面侧进行切割的情况下，需要使切割刀沿在晶片表面侧划定的切割线进行扫掠。

在此，在从半导体芯片的背面输出电流的器件（device）中，在将半导体晶片呈芯片状地进行切单之前，在晶片背面形成构成背面电极的金属膜。该金属膜起到对半导体芯片的背面侧赋予焊料润湿性、导电性的作用。因此，在切割工序中，构成背面电极的金属膜也会与半导体晶片一起被同时切断。然而，当与半导体晶片一起切断金属膜时，切割刀容易引起阻塞，存在寿命变短的问题。

本发明是鉴于上述的点而完成的，其目的在于，提供一种能将通过只对一方的主面的内周部进行磨削而进行薄化且在该一方的面形成有金属膜的半导体晶片从该一方的面进行切割，并且能防止切割刀的阻塞的半导体装置及半导体装置的制造方法。

用于解决课题的方案

本发明的半导体装置的制造方法包括：在半导体晶片的第一主面的被假想的切割线所包围的多个元件区域的每一个形成半导体元件的元件工序；以使所述半导体晶片的与所述第一主面相反侧的第二主面的外周部比内周部厚的方式磨削所述第二主面的磨削工序；在所述磨削工序中被磨削的所述第二主面以避开与所述切割线对应的部分的方式形成金属膜的金属膜形成工序；以及沿所述切割线上的所述金属膜的非形成部从所述第二主面侧切断所述半导体晶片的切断工序。

此外，本发明的半导体装置是通过上述的制造方法制造的半导体装置，在所述半导体晶片的与所述第二主面对应的面中，在沿所述切断工序中表露出的切断面的外周区域，具有所述金属膜的非形成部。

发明效果