[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括：

元件工序，在半导体晶片的第一主面的被假想的切割线所包围的多个元件区域的每一个形成半导体元件；

磨削工序，以使所述半导体晶片的与所述第一主面相反侧的第二主面的外周部比内周部厚的方式磨削所述第二主面；

金属膜形成工序，在所述磨削工序中被磨削的所述第二主面以避开与所述切割线对应的部分的方式形成金属膜；以及

切断工序，沿所述切割线上的所述金属膜的非形成部从所述第二主面侧切断所述半导体晶片。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述金属膜形成工序包括：

在所述半导体晶片的所述第二主面形成第一金属膜的工序；

除去所述第一金属膜的与所述切割线重叠的部分的工序；以及

在所述第二主面上，在残存的所述第一金属膜上形成第二金属膜的工序。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其中，除去所述第一金属膜的与所述切割线重叠的部分的工序包括：

在所述第一金属膜上形成具有沿所述切割线的开口部的抗蚀剂掩模的工序；以及

经由所述抗蚀剂掩模对所述第一金属膜进行蚀刻的工序。

4.根据权利要求3所述的制造方法，其中，

所述抗蚀剂掩模使用基于形成在所述半导体晶片的所述第一主面的定位标记进行定位的玻璃掩模进行曝光处理，形成所述开口部。

5.根据权利要求2至4的任一项所述的制造方法，其中，

使所述第一金属膜作为镀覆种子层发挥功能，在所述第一金属膜上通过镀覆处理形成所述第二金属膜。

6.根据权利要求5所述的制造方法，其中，

所述第一金属膜由离子化趋势比所述第二金属膜大的金属构成。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其中，

所述第一金属膜包括铝，所述第二金属膜包括金。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其中，

所述第二金属膜包括镍镀覆层及金镀覆层。

9.一种半导体装置，通过权利要求1至8的任一项所述的制造方法制造，其中，

在所述半导体晶片的与所述第二主面对应的面，在沿所述切断工序中表露出的切断面的外周区域具有所述金属膜的非形成部。