[发明专利]基板结构、半导体封装、堆迭式封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种基板结构，其特征在于，包括：

一导电壳体，具有开口朝下的一壳体凹槽；

数个导电引脚；以及

一绝缘结构，分开该些导电引脚与该导电壳体。

2.如权利要求1所述的基板结构，其特征在于，该导电壳体的该壳体凹槽位在该基板结构的中央部份。

3.如权利要求1所述的基板结构，其特征在于，更包括：

一上凹口，从该些导电引脚的上表面凹进；以及

一下凹口，从该些导电引脚的下表面凹进，并连通该上凹口；

其中该绝缘结构包括相邻的一上绝缘部分与一下绝缘部分，分别填充该上凹口与该下凹口。

4.如权利要求1所述的基板结构，其特征在于，该绝缘结构包括一上绝缘部分，该上绝缘部分具有露出该些导电引脚的上表面的数个穿孔，该基板结构更包括数个线路层，通过该些穿孔而电性连接该些导电引脚，并延伸在该上绝缘部分的上表面。

5.如权利要求1所述的基板结构，其特征在于，该导电壳体与该些导电引脚位在该绝缘结构的侧壁上。

6.一种半导体封装，其特征在于，包括：

一基板结构，包括：

一导电壳体，具有开口朝下的一壳体凹槽；

数个导电引脚；以及

一绝缘结构，分开该些导电引脚与该导电壳体；

一芯片，配置在该基板结构的一上表面上，并电性连接至该些导电引脚；以及

一封装体，覆盖该芯片。

7.如权利要求6所述的半导体封装，其特征在于，该导电壳体的该壳体凹槽位在该半导体封装或该基板结构的中央部份。

8.如权利要求6所述的半导体封装，其特征在于，该导电壳体的位置对应该芯片的位置。

9.如权利要求6所述的半导体封装，其特征在于，该导电壳体是位在该芯片下方。

10.如权利要求6所述的半导体封装，其特征在于，更包括：

一上凹口，从该些导电引脚的上表面凹进；以及

一下凹口，从该些导电引脚的下表面凹进，并连通该上凹口；

其中该绝缘结构包括相邻的一上绝缘部分与一下绝缘部分，分别填充该上凹口与该下凹口。

11.如权利要求6所述的半导体封装，其特征在于，该绝缘结构包括一上绝缘部分，该上绝缘部分具有露出该些导电引脚的上表面的数个穿孔，

该基板结构更包括数个线路层，通过该些穿孔而电性连接该些导电引脚，并延伸在该上绝缘部分的上表面。

12.如权利要求6所述的半导体封装，其特征在于，该导电壳体与该些导电引脚位在该绝缘结构的侧壁上。

13.一种堆迭式封装结构，其特征在于，包括：

一第一半导体封装，包括一第一基板结构、一第一芯片与一第一封装体，其中该第一基板结构包括：

一导电壳体，具有开口朝下的一壳体凹槽；

数个导电引脚；以及

一绝缘结构，分开该些导电引脚与该导电壳体，该第一芯片配置在该第一基板结构的一上表面上，并电性连接至该些导电引脚，该第一封装体覆盖该第一芯片；以及

一第二半导体封装，包括一第二基板结构、一第二芯片与一第二封装体，该第二芯片配置在该第二基板结构上，该第二封装体包覆该第二芯片的一主动面，

该第二半导体封装电性连接该第一半导体封装，且该第二芯片容置在该导电壳体的该壳体凹槽中。

14.如权利要求13所述的堆迭式封装结构，其特征在于，更包括一黏着层，该第二芯片是经由该黏着层贴附在该导电壳体的该壳体凹槽的底部。

15.如权利要求14所述的堆迭式封装结构，其特征在于，该黏着层是贴附在该第二芯片相对于该主动面的一背面上。

16.如权利要求13所述的堆迭式封装结构，其特征在于，该第二芯片与该导电壳体的该壳体凹槽的侧壁之间以一空隙隔开。

17.如权利要求13所述的堆迭式封装结构，其特征在于，更包括数个导电凸块，物理并电性连接该第一基板结构与该第二基板结构。