[发明专利]OLED阵列基板及其制造方法、显示装置有效
| 申请号: | 201310406560.2 | 申请日: | 2013-09-09 |
| 公开(公告)号: | CN103456764A | 公开(公告)日: | 2013-12-18 |
| 发明(设计)人: | 程鸿飞;张玉欣 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | oled 阵列 及其 制造 方法 显示装置 | ||
技术领域
本发明属于显示技术领域,具体涉及一种OLED阵列基板及其制造方法,以及设有该OLED阵列基板的显示装置。
背景技术
有机电致发光显示(Organic Electroluminesence Display,简称OELD)又称为有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,简称OLED)显示装置,具有能耗低、亮度高、反应时间快、宽视角、重量轻等优点,近来已普遍应用于移动通信终端、个人数字助理(PDA)、掌上电脑等设备中。OLED显示装置分为无源矩阵型和有源矩阵型两种,其中,有源矩阵型OLED显示装置利用薄膜晶体管(Thin Film Transistor,简称TFT)驱动OLED,具有较高发光效率和较好的显示效果。
本发明人在实现本发明的过程中发现,现有技术至少存在以下问题:在有源矩阵型OLED显示装置的显示过程中,OLED发出的光很容易照到TFT上,这会影响TFT内部的光电流,从而导致TFT所驱动的OLED中的电流发生误差,影响显示效果。
发明内容
本发明实施例提供了一种OLED阵列基板及其制造方法,以及设有该OLED阵列基板的显示装置,解决了现有的有源矩阵型OLED显示装置中的TFT容易受到光照,影响显示效果的技术问题。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
本发明提供一种OLED阵列基板,包括设置于衬底基板上的薄膜晶体管,所述薄膜晶体管上方设置有黑矩阵,所述黑矩阵上开设有过孔;
所述黑矩阵上方从下至上依次设置有第一电极、发光层、第二电极;
所述第一电极通过所述过孔与所述薄膜晶体管相连,相邻的所述第一电极之间通过挡墙隔开。
在一种实施方式中,所述第一电极与所述薄膜晶体管之间设置有第一保护层,所述黑矩阵与所述第一保护层同层设置。
其中,所述发光层为彩色发光层。
或者,所述发光层为白色发光层,所述第一保护层与所述薄膜晶体管之间还设置有彩膜层;
所述过孔贯穿所述黑矩阵和所述彩膜层。
在另一种实施方式中,所述发光层为白色发光层,所述第一电极与所述薄膜晶体管之间,从下至上依次设置有彩膜层和第一保护层,所述黑矩阵与所述彩膜层同层设置;
所述过孔贯穿所述第一保护层和所述黑矩阵。
进一步,所述彩膜层与所述薄膜晶体管之间还设置有第二保护层;
所述过孔还贯穿所述第二保护层。
在上述实施方式中,所述第一电极为阳极,所述第二电极为阴极;
或者,所述第一电极为阴极,所述第二电极为阳极。
本发明还提供一种OLED阵列基板的制造方法,包括:
在衬底基板上形成包括薄膜晶体管的图形;
在完成前述步骤的基础上,形成包括黑矩阵的图形,所述黑矩阵位于所述薄膜晶体管上方,且所述黑矩阵上开设有过孔;
在完成前述步骤的基础上,形成包括第一电极、挡墙、发光层、第二电极的图形,所述第一电极通过所述过孔与所述薄膜晶体管相连,相邻的所述第一电极之间通过所述挡墙隔开。
在一种实施方式中,所述形成包括黑矩阵的图形,具体为:
形成包括同层设置的第一保护层和黑矩阵的图形。
进一步,所述形成包括同层设置的第一保护层和黑矩阵的图形之前,还包括:
形成包括彩膜层的图形。
在另一种实施方式中,所述形成包括黑矩阵的图形,具体为:
形成包括同层设置的彩膜层和黑矩阵的图形;
且在所述形成包括同层设置的彩膜层和黑矩阵的图形之后,还包括:
在完成前述步骤的基础上,形成包括第一保护层的图形。
进一步,在衬底基板上形成包括薄膜晶体管的图形之后,还包括:
在完成前述步骤的基础上,形成包括第二保护层的图形。
本发明还提供一种显示装置,包括上述的OLED阵列基板。
与现有技术相比,本发明所提供的上述技术方案具有如下优点:在薄膜晶体管的上方设置黑矩阵,并将OLED的第一电极通过黑矩阵上的过孔与薄膜晶体管连接。薄膜晶体管驱动OLED的显示过程中,黑矩阵能够遮挡住OLED发出的光,避免薄膜晶体管受到光照,因此薄膜晶体管所驱动的OLED中的电流不会发生误差,从而保证了有源矩阵型OLED显示装置的显示效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





