[发明专利]OLED阵列基板及其制造方法、显示装置有效

专利信息
申请号: 201310406560.2 申请日: 2013-09-09
公开(公告)号: CN103456764A 公开(公告)日: 2013-12-18
发明(设计)人: 程鸿飞;张玉欣 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: oled 阵列 及其 制造 方法 显示装置
【权利要求书】:

1.一种OLED阵列基板,其特征在于:包括设置于衬底基板上的薄膜晶体管,所述薄膜晶体管上方设置有黑矩阵,所述黑矩阵上开设有过孔;

所述黑矩阵上方从下至上依次设置有第一电极、发光层、第二电极;

所述第一电极通过所述过孔与所述薄膜晶体管相连,相邻的所述第一电极之间通过挡墙隔开。

2.根据权利要求1所述的OLED阵列基板,其特征在于:所述第一电极与所述薄膜晶体管之间设置有第一保护层,所述黑矩阵与所述第一保护层同层设置。

3.根据权利要求2所述的OLED阵列基板,其特征在于:所述发光层为彩色发光层。

4.根据权利要求2所述的OLED阵列基板,其特征在于:所述发光层为白色发光层,所述第一保护层与所述薄膜晶体管之间还设置有彩膜层;

所述过孔贯穿所述黑矩阵和所述彩膜层。

5.根据权利要求1所述的OLED阵列基板,其特征在于:所述发光层为白色发光层,所述第一电极与所述薄膜晶体管之间,从下至上依次设置有彩膜层和第一保护层,所述黑矩阵与所述彩膜层同层设置;

所述过孔贯穿所述第一保护层和所述黑矩阵。

6.根据权利要求4或5所述的OLED阵列基板,其特征在于:所述彩膜层与所述薄膜晶体管之间还设置有第二保护层;

所述过孔还贯穿所述第二保护层。

7.根据权利要求1所述的OLED阵列基板,其特征在于:所述第一电极为阳极,所述第二电极为阴极;

或者,所述第一电极为阴极,所述第二电极为阳极。

8.一种OLED阵列基板的制造方法,其特征在于,包括:

在衬底基板上形成包括薄膜晶体管的图形;

在完成前述步骤的基础上,形成包括黑矩阵的图形,所述黑矩阵位于所述薄膜晶体管上方,且所述黑矩阵上开设有过孔;

在完成前述步骤的基础上,形成包括第一电极、挡墙、发光层、第二电极的图形,所述第一电极通过所述过孔与所述薄膜晶体管相连,相邻的所述第一电极之间通过所述挡墙隔开。

9.根据权利要求8所述的制造方法,其特征在于,所述形成包括黑矩阵的图形,具体为:

形成包括同层设置的第一保护层和黑矩阵的图形。

10.根据权利要求9所述的制造方法,其特征在于,所述形成包括同层设置的第一保护层和黑矩阵的图形之前,还包括:

形成包括彩膜层的图形。

11.根据权利要求8所述的制造方法,其特征在于,所述形成包括黑矩阵的图形,具体为:

形成包括同层设置的彩膜层和黑矩阵的图形;

且在所述形成包括同层设置的彩膜层和黑矩阵的图形之后,还包括:

在完成前述步骤的基础上,形成包括第一保护层的图形。

12.根据权利要求10或11所述的制造方法,其特征在于,在衬底基板上形成包括薄膜晶体管的图形之后,还包括:

在完成前述步骤的基础上,形成包括第二保护层的图形。

13.一种显示装置,其特征在于:包括权利要求1至7任一项所述的OLED阵列基板。

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