[发明专利]OLED阵列基板及其制造方法、显示装置有效
| 申请号: | 201310406560.2 | 申请日: | 2013-09-09 |
| 公开(公告)号: | CN103456764A | 公开(公告)日: | 2013-12-18 |
| 发明(设计)人: | 程鸿飞;张玉欣 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | oled 阵列 及其 制造 方法 显示装置 | ||
1.一种OLED阵列基板,其特征在于:包括设置于衬底基板上的薄膜晶体管,所述薄膜晶体管上方设置有黑矩阵,所述黑矩阵上开设有过孔;
所述黑矩阵上方从下至上依次设置有第一电极、发光层、第二电极;
所述第一电极通过所述过孔与所述薄膜晶体管相连,相邻的所述第一电极之间通过挡墙隔开。
2.根据权利要求1所述的OLED阵列基板,其特征在于:所述第一电极与所述薄膜晶体管之间设置有第一保护层,所述黑矩阵与所述第一保护层同层设置。
3.根据权利要求2所述的OLED阵列基板,其特征在于:所述发光层为彩色发光层。
4.根据权利要求2所述的OLED阵列基板,其特征在于:所述发光层为白色发光层,所述第一保护层与所述薄膜晶体管之间还设置有彩膜层;
所述过孔贯穿所述黑矩阵和所述彩膜层。
5.根据权利要求1所述的OLED阵列基板,其特征在于:所述发光层为白色发光层,所述第一电极与所述薄膜晶体管之间,从下至上依次设置有彩膜层和第一保护层,所述黑矩阵与所述彩膜层同层设置;
所述过孔贯穿所述第一保护层和所述黑矩阵。
6.根据权利要求4或5所述的OLED阵列基板,其特征在于:所述彩膜层与所述薄膜晶体管之间还设置有第二保护层;
所述过孔还贯穿所述第二保护层。
7.根据权利要求1所述的OLED阵列基板,其特征在于:所述第一电极为阳极,所述第二电极为阴极;
或者,所述第一电极为阴极,所述第二电极为阳极。
8.一种OLED阵列基板的制造方法,其特征在于,包括:
在衬底基板上形成包括薄膜晶体管的图形;
在完成前述步骤的基础上,形成包括黑矩阵的图形,所述黑矩阵位于所述薄膜晶体管上方,且所述黑矩阵上开设有过孔;
在完成前述步骤的基础上,形成包括第一电极、挡墙、发光层、第二电极的图形,所述第一电极通过所述过孔与所述薄膜晶体管相连,相邻的所述第一电极之间通过所述挡墙隔开。
9.根据权利要求8所述的制造方法,其特征在于,所述形成包括黑矩阵的图形,具体为:
形成包括同层设置的第一保护层和黑矩阵的图形。
10.根据权利要求9所述的制造方法,其特征在于,所述形成包括同层设置的第一保护层和黑矩阵的图形之前,还包括:
形成包括彩膜层的图形。
11.根据权利要求8所述的制造方法,其特征在于,所述形成包括黑矩阵的图形,具体为:
形成包括同层设置的彩膜层和黑矩阵的图形;
且在所述形成包括同层设置的彩膜层和黑矩阵的图形之后,还包括:
在完成前述步骤的基础上,形成包括第一保护层的图形。
12.根据权利要求10或11所述的制造方法,其特征在于,在衬底基板上形成包括薄膜晶体管的图形之后,还包括:
在完成前述步骤的基础上,形成包括第二保护层的图形。
13.一种显示装置,其特征在于:包括权利要求1至7任一项所述的OLED阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





