[发明专利]存储器的操作方法及具有该存储器的集成电路

说明书

技术领域

本发明是关于对存储器执行读取操作技术领域，尤其是一种存储器的操作方法及具有该存储器的集成电路。

背景技术

典型的测量储存在存储器单元中的数据的感测操作仅指示该存储器单元中的一储存的阈值电压是否在代表不同数据值的多个阈值电压范围之一之中。结果，需有额外的感测操作以测量不只是对应于该存储器单元的特定阈值电压范围，而且是该存储器单元是否储存一相对接近该阈值电压范围的一末端的阈值电压。一个储存此种阈值电压的存储器单元较可能被错读为储存对应于相邻阈值电压范围的数据。

此种错误校正数据亦称为软讯息，是用来决定何时存储器单元的感测操作结果较可能包含不正确的结果。但是因为需要额外的感测操作，测量软数据会增加读取潜时(read latency)。

发明内容

本发明的一构想为一种存储器操作方法，包括：以一具有一第一字线感测电压的存储器感测操作对一存储器单元作多次测量。该多次测量包含一第一测量，其测量该存储器单元是否储存：

(a)对应于一第一组阈值电压范围的数据，该第一组阈值电压范围由一或更多低于该第一字线感测电压的阈值电压范围所组成，或

(b)对应于一第二组阈值电压范围的数据，该第二组阈值电压范围由一或更多高于该第一字线感测电压的阈值电压范围所组成。

该多次测量包含一第二测量，其测量该存储器单元的错误校正数据，该错误校正数据指示该存储器单元中的一储存的阈值电压在属于该第一组或第二组的一特定阈值电压范围内的相对位置。

本发明的另一构想为一具存储器的集成电路，包括：一具有多个存储器单元的存储器阵列，其储存为多个阈值电压范围之一所代表的数据，以及耦合到该存储器阵列的控制电路。该控制电路以具有一第一字线感测电压的一存储器感测操作对该存储器阵列的一存储器单元作多次测量，该多次测量的内容如本文所述。

而本发明的另一构想为一制造本文所述的集成电路的一种方法。

本发明的一进一步构想为一种对一具有一错误检查与控制(ECC)电路的存储器的读取方法，包括：

以一第一字线电压感测该存储器；

将该第一字线电压调整到一第二字线电压；以及

以该第二字线电压感测该存储器，为该ECC电路取得该存储器的数据与该存储器单元的错误校正数据，该错误校正数据指示该存储器单元中的一储存的阈值电压在一特定阈值电压范围内的相对位置。

本发明的各种实施例描述如下。

在本发明的一个实施例中，该错误校正数据指示该存储器单元是否有一储存的阈值电压位于一小于多个阈值电压范围之一的次范围内。在该多个阈值电压范围中的不同的阈值电压范围代表该存储器单元可储存的不同数据值。

在本发明的一个实施例中，响应该第一字线感测电压导致该第一测量结果超出一事先决定的误差限度的测定，以一第二字线感测电压取代该第一字线感测电压，重复对该存储器单元的该第一测量。该错误校正数据可指示该存储器单元是否有一储存的阈值电压位于该第一字线感测电压与该第二字线感测电压之间。以该第一字线感测电压所作的该第一测量的一第一结果可被舍弃，代之以以该第二字线感测电压所作的该第一测量的一第二结果。

本发明的一个实施例更包括：响应该第一字线感测电压导致该第一测量结果超出一事先决定的误差限度的测定，以一系列替换字线感测电压重复对该存储器单元的该第一测量，直到该替换字线感测电压之一导致该第一测量结果符合该事先决定的误差限度。该错误校正数据可指示该存储器单元是否有一储存的阈值电压位于两个该替换字线感测电压之间。以一较早的该系列替换字线感测电压之一所作的该第一测量的一较早的结果可被舍弃，代之以以一较后的该系列替换字线感测电压之一所作的该第一测量的一较后的结果。

在本发明的一个实施例中，该第一测量的该第一字线感测电压为在一项对该存储器单元的移动读取操作中的一个中间的字线感测电压。

附图说明

图1为一以相同的存储器感测操作作多重测量的流程图范例；

图2和图3为存储器单元的阈值电压分布图，示范在一移动读取操作中测量储存于存储器单元的数据时一个变动的字线感测电压的例子；

图4为存储器单元的一阈值电压分布图，示范在一读取操作中测量错误校正数据的一个例子；

图5为同时存入测量存储器单元中储存的数据的结果，与测量错误校正数据的结果两者的程序设计的一流程图范例；

图6和图7为包含从相同的存储器感测操作中合并测量存储器单元中储存的数据及该存储器单元中的错误校正数据的读取操作的等时线的例子；以及