[发明专利]存储器的操作方法及具有该存储器的集成电路

权利要求书

1.一种存储器操作方法，包括：

以一具有一第一字线感测电压的存储器感测操作对一存储器单元作多次测量，该多次测量包含：

(i)一第一测量，其测量该存储器单元是否储存：

(a)对应于一第一组阈值电压范围的数据，该第一组阈值电压范围由一或更多低于该第一字线感测电压的阈值电压范围所组成，或

(b)对应于一第二组阈值电压范围的数据，该第二组阈值电压范围由一或更多高于该第一字线感测电压的阈值电压范围所组成，以及

(ii)一第二测量，其测量该存储器单元的错误校正数据，该错误校正数据指示该存储器单元中的一储存的阈值电压在属于该第一组或第二组的一特定阈值电压范围内的相对位置。

2.根据权利要求1所述的方法，其中该错误校正数据指示该存储器单元是否有一储存的阈值电压位于一小于多个阈值电压范围之一的次范围内，在该多个阈值电压范围中的不同的阈值电压范围代表该存储器单元可储存的不同数据值。

3.根据权利要求1所述的方法，更包括：

响应该第一字线感测电压导致该第一测量结果超出一事先决定的误差限度的测定，以一第二字线感测电压取代该第一字线感测电压，重复对该存储器单元的该第一测量。

4.根据权利要求3所述的方法，其中该错误校正数据指示该存储器单元是否有一储存的阈值电压位于该第一字线感测电压与该第二字线感测电压之间。

5.根据权利要求3所述的方法，其中以该第一字线感测电压所作的该第一测量的一第一结果被舍弃，代之以以该第二字线感测电压所作的该第一测量的一第二结果。

6.根据权利要求1所述的方法，更包括：

响应该第一字线感测电压导致该第一测量结果超出一事先决定的误差限度的测定，以一系列替换字线感测电压重复对该存储器单元的该第一测量，直到该替换字线感测电压之一导致该第一测量结果符合该事先决定的误差限度。

7.根据权利要求6所述的方法，其中该错误校正数据指示该存储器单元是否有一储存的阈值电压位于两个该替换字线感测电压之间。

8.根据权利要求6所述的方法，其中以一较早的该系列替换字线感测电压之一所作的该第一测量的一较早的结果被舍弃，代之以以一较后的该系列替换字线感测电压之一所作的该第一测量的一较后的结果。

9.根据权利要求1所述的方法，其中该第一测量的该第一字线感测电压为在一项对该存储器单元的移动读取操作中的一个中间的字线感测电压。

10.根据权利要求1所述的方法，其中该错误校正数据被用于对该存储器单元的错误校正与误差缩减之中的至少其一。

11.一种具有存储器的集成电路，包括：

一具有多个存储器单元的存储器阵列，其储存为多个阈值电压范围之一所代表的数据；以及

耦合到该存储器阵列的控制电路，该控制电路以具有一第一字线感测电压的一存储器感测操作对该存储器阵列的一存储器单元作多次测量，该多次测量包含：

(i)一第一测量，其测量该存储器单元是否储存：

(a)对应于一第一组阈值电压范围的数据，该第一组阈值电压范围由一或更多低于该第一字线感测电压的阈值电压范围所组成，或

(b)对应于一第二组阈值电压范围的数据，该第二组阈值电压范围由一或更多高于该第一字线感测电压的阈值电压范围所组成，以及

(ii)一第二测量，其测量该存储器单元的错误校正数据，该错误校正数据指示该存储器单元中的一储存的阈值电压在属于该第一组或第二组的一特定阈值电压范围内的相对位置。

12.根据权利要求11所述的电路，其中该错误校正数据指示该存储器单元是否有一储存的阈值电压位于一小于多个阈值电压范围之一的次范围内，在该多个阈值电压范围中的不同的阈值电压范围代表该存储器单元可储存的不同数据值。

13.根据权利要求11所述的电路，更包括：

响应该第一字线感测电压导致该第一测量结果超出一事先决定的误差限度的测定，以一第二字线感测电压取代该第一字线感测电压，重复对该存储器单元的该第一测量。

14.根据权利要求13所述的电路，其中该错误校正数据指示该存储器单元是否有一储存的阈值电压位于该第一字线感测电压与该第二字线感测电压之间。