[发明专利]一种LED芯片的无损切割方法

说明书

技术领域

本发明涉及光电技术领域，尤其是一种LED芯片的无损切割方法。

背景技术

随着社会经济的快速发展，能源问题逐渐成为一个全球性的问题；LED芯片具有亮度高、颜色种类丰富、低功耗、寿命长的特点，LED被广泛应用于照明，背光等领域。而目前传统LED芯粒切割时，需用镭射在COW的表面进行切割，但是镭射烧灼后的产物已经对LED芯粒侧壁的物理损伤，严重影响了LED芯片的出光效率和使用寿命。而目前较常用的SWE（高温侧壁腐蚀）技术，由于不同的磊晶Buffer，以及磊晶条件的差异，导致SWE技术不稳定，且良率损失严重，故目前没有一种保证产品良率，且对芯粒出光效率和使用寿命无影响的切割方式。

因此，需要一种新的技术方案以解决上述问题。

发明内容

发明目的：为了解决现有技术所产生的问题，本发明提供了一种简单易行，且对LED芯粒无损伤，不使其损失亮度的LED芯片的无损切割方法；

技术方案：一种LED芯片的无损切割方法，包括以下步骤：

（1）将LED芯片的前制程半成品COW研磨至75μm～85μm，同时在COW表面沉积4μm～5μm的高致密SiO₂作为掩模；

（2）ICP干法刻蚀：用高粘附性负胶做为光罩转移载体，根据COW正面芯粒之间的切割道位置，显影出4μm～5μm的线宽；

（3）利用BOE溶液对显影后的产品进行湿法刻蚀，刻蚀时间为160s；

（4）将刻蚀完的SiO₂表面的胶体去除，同时利用ICP进行干法刻蚀，刻蚀时间为600s；

（5）利用BOE将SiO₂刻蚀干净后，再送至劈裂站，从COW的背面进行劈裂。

更进一步的，所述步骤（2）进行ICP干法刻蚀时，其通入的气体为Cl₂和Ar，其中Cl₂的含量为90sccm，Ar的含量为45sccm。

更进一步的，所述步骤（2）进行ICP干法刻蚀时，其上电极的功率为100W，下电极的功率为1000W。

有益效果：本发明公开了一种用ICP干法刻蚀代替传统镭射切割的LED芯片无损切割方法；首先在COW的表面沉积4μm～5μm的高致密SiO₂作为掩模，然后利用负胶根据COW上芯粒之间的切割道位置，曝光显影出4μm～5μm的线宽，接着利用湿法刻蚀，将无胶体保护区域的SiO₂刻蚀干净，随后将去胶后的产品送至ICP进行干法刻蚀，最后将SiO₂后的COW送至后段进行劈裂，从而将LED芯片分离成每一颗独立的芯粒；本工艺具有简单可行，对LED芯粒无结构损伤，既满足后段劈裂的工艺要求，又不使LED芯粒的亮度收到损伤，具有较强的实用性。

具体实施方式

下面结合具体实施方式，进一步阐明本发明，应理解下述具体实施方式仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围，在阅读了本发明之后，本领域技术人员对本发明的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。

实施例1：

一种LED芯片的无损切割方法，包括以下步骤：

（1）将LED芯片的前制程半成品COW研磨至75μm，同时在COW表面沉积4μm的高致密SiO₂作为掩模；

（2）ICP干法刻蚀：用高粘附性负胶做为光罩转移载体，根据COW正面芯粒之间的切割道位置，显影出4μm的线宽；在进行ICP干法刻蚀时，其通入的气体为Cl₂和Ar，其中Cl₂的含量为90sccm，Ar的含量为45sccm；其上电极的功率为100W，下电极的功率为1000W；

（3）利用BOE溶液对显影后的产品进行湿法刻蚀，刻蚀时间为160s；

（4）将刻蚀完的SiO₂表面的胶体去除，同时利用ICP进行干法刻蚀，刻蚀时间为600s；

（5）利用BOE将SiO₂刻蚀干净后，再送至劈裂站，从COW的背面进行劈裂。

实施例2：

一种LED芯片的无损切割方法，包括以下步骤：

（1）将LED芯片的前制程半成品COW研磨至85μm，同时在COW表面沉积5μm的高致密SiO₂作为掩模；