[发明专利]一种LED芯片的无损切割方法无效
| 申请号： | 201310406466.7 | 申请日： | 2013-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN103474527A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 郁彬 | 申请（专利权）人： | 昆山奥德鲁自动化技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/266;H01L21/302 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 无损 切割 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种LED芯片的无损切割方法，其特征在于包括以下步骤：
（1）将LED芯片的前制程半成品COW研磨至75μm～85μm，同时在COW表面沉积4μm～5μm的高致密SiO2作为掩模；
（2）ICP干法刻蚀：用高粘附性负胶做为光罩转移载体，根据COW正面芯粒之间的切割道位置，显影出4μm～5μm的线宽；
（3）利用BOE溶液对显影后的产品进行湿法刻蚀，刻蚀时间为160s；
（4）将刻蚀完的SiO2表面的胶体去除，同时利用ICP进行干法刻蚀，刻蚀时间为600s；
（5）利用BOE将SiO2刻蚀干净后，再送至劈裂站，从COW的背面进行劈裂。
2.根据权利要求1所述的一种LED芯片的无损切割方法，其特征在于：所述步骤（2）进行ICP干法刻蚀时，其通入的气体为Cl2和Ar，其中Cl2的含量为90sccm，Ar的含量为45sccm。
3.根据权利要求1所述的一种LED芯片的无损切割方法，其特征在于：所述步骤（2）进行ICP干法刻蚀时，其上电极的功率为100W，下电极的功率为1000W。
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