[发明专利]接插件的同轴线凹槽加工电极及该加工电极的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及接插件外周面的有较高同轴度要求且特征细小同轴线型凹槽加工技术领域，尤其涉及一种接插件的同轴线凹槽加工电极及该加工电极的制造方法。

背景技术

随着科技的迅速发展，各种电子设备逐渐朝向高端化及携带方便化的方向发展，电子设备的功能逐渐增多而体积却要求逐渐减小，这就使得电子设备内部各元件的体积减小，且精密度要求更高。参照图1及图2所示为一电子设备中的接插件8，该接插件8具有一柱状插头部81，该柱状插头部81的外周面上形成有若干同轴心的凹槽82；该凹槽82的内径大约为0.1mm，柱状插头部81的外径大约为1.5mm；由此可见，该柱状插头部81及其外周面上的凹槽82均比较小，其加工的精密度要求当然高，并且各凹槽82的加工结果都要求与插头部81同心，不然会影响插接件8的电性连接。而现有技术中均是对插头部81进行旋转逐个加工上述凹槽82，从而容易导致各凹槽82同心度较差，且精密度较低。

因此，有必要提供一种改进的接插件的同轴线凹槽加工电极及该加工电极的制造方法以解决上述问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种可实现高精度加工的接插件的同轴线凹槽加工电极及该加工电极的制造方法。

为实现上述发明目的，本发明提供了一种接插件上的同轴线凹槽加工电极，用于在一接插件外周面上加工成型若干同轴线凹槽，所述加工电极包括基座；所述基座设有上下贯穿以收容一接插件的收容孔、以及设置于收容孔周围并朝向收容孔方向突伸的若干放电电极，若干所述放电电极与所述收容孔同轴设置。

作为本发明的进一步改进，若干所述放电电极在收容孔周围均匀设置。

作为本发明的进一步改进，若干所述放电电极体积大小相同，且相邻两个所述放电电极之间形成有将两者间隔开的避让空间。

作为本发明的进一步改进，所述基座上设置有多个间隔设置的所述收容孔及与每一收容孔对应的所述放电电极。

作为本发明的进一步改进，所述基座采用钨铜材质。

为实现上述发明目的，本发明还提供了上述加工电极的制造方法，其包括以下步骤：

提供一钨铜基座；

在所述钨铜基座上成型至少一收容孔；

在收容孔周围进行线切割形成间隔设置的且均与收容孔同轴的若干放电电极。

作为本发明的进一步改进，所述钨铜基座上成型有若干个间隔设置的所述收容孔。

作为本发明的进一步改进，若干所述放电电极体积大小相同，且相邻两个所述放电电极之间经线切割形成有将两者间隔开的避让空间。

本发明的有益效果是：本发明加工电极上通过成型若干具有与收容孔同轴线的放电电极，使得接插件外周面上的所有凹槽可同时进行加工成型，进而使得该等凹槽不仅同轴度较高，且加工精度及加工效率较高。另外，采用线切割形成的本发明加工电极不仅精度高，而且加工方便。

附图说明

图1是一种接插件的立体图；

图2是图1中接插件的俯视图；

图3是本发明加工电极的立体图；

图4是图3中加工电极的俯视图。

具体实施方式

以下将结合附图所示的各实施方式对本发明进行详细描述。但这些实施方式并不限制本发明，本领域的普通技术人员根据这些实施方式所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本发明的保护范围内。

请参照图1至图4所示为本发明加工电极100的较佳实施方式。该加工电极100用于在一接插件8外周面上加工成型若干同轴线凹槽82，其包括基座1；所述基座1设有上下贯穿以收容所述接插件8的插头部81的收容孔2、以及设置于收容孔2周围并朝向收容孔2方向突伸的若干放电电极3。

若干所述放电电极3在收容孔2周围均匀设置，并且该等放电电极3与收容孔2同轴线设置。此外，若干所述放电电极3体积大小相同，并且相邻两个放电电极3之间形成有将两者间隔开的避让空间4。由此使得采用本发明加工电极100进行同轴线的若干凹槽82的加工时，可同时进行所有凹槽82的加工成型，使得该等凹槽82不仅同轴度较高，且大小相同。

在本实施方式中，所述基座1上设置有多个间隔设置的所述收容孔2及与每一收容孔2对应的若干放电电极3，从而使得本发明所述加工电极100可同时进行多个接插件8上的同轴线凹槽82的加工。所述基座1采用钨铜材质，从而使得该加工电极100具有一定的刚性，且放电性能好。

本发明还涉及所述加工电极100的制造方法，其包括以下步骤：

首先，提供一钨铜基座1；