[发明专利]接插件的同轴线凹槽加工电极及该加工电极的制造方法无效
申请号: | 201310405428.X | 申请日: | 2013-09-09 |
公开(公告)号: | CN104416247A | 公开(公告)日: | 2015-03-18 |
发明(设计)人: | 李锡良;叶茂 | 申请(专利权)人: | 苏州星诺奇传动科技有限公司 |
主分类号: | B23H7/22 | 分类号: | B23H7/22 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 杨林洁 |
地址: | 215000 江苏省苏州市苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 插件 同轴线 凹槽 加工 电极 制造 方法 | ||
1.一种接插件上的同轴线凹槽加工电极,用于在一接插件外周面上加工成型若干同轴线凹槽,其特征在于,所述加工电极包括基座;所述基座设有上下贯穿以收容一接插件的收容孔、以及设置于收容孔周围并朝向收容孔方向突伸的若干放电电极,若干所述放电电极与所述收容孔同轴设置。
2.根据权利要求1所述的加工电极,其特征在于:若干所述放电电极在收容孔周围均匀设置。
3.根据权利要求1所述的加工电极,其特征在于:若干所述放电电极体积大小相同,且相邻两个所述放电电极之间形成有将两者间隔开的避让空间。
4.根据权利要求1所述的加工电极,其特征在于:所述基座上设置有多个间隔设置的所述收容孔及与每一收容孔对应的所述放电电极。
5.根据权利要求1所述的加工电极,其特征在于:所述基座采用钨铜材质。
6.如权利要求1所述的加工电极的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供一钨铜基座;
在所述钨铜基座上成型至少一收容孔;
在收容孔周围进行线切割形成间隔设置的且均与收容孔同轴的若干放电电极。
7.根据权利要求6所述的制造方法,其特征在于:所述钨铜基座上成型有若干个间隔设置的所述收容孔。
8.根据权利要求6所述的制造方法,其特征在于:若干所述放电电极体积大小相同,且相邻两个所述放电电极之间经线切割形成有将两者间隔开的避让空间。
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