[发明专利]一种使用二维过渡金属硫族化合物纳米片和金属制备纳米复合材料的方法

权利要求书

1.一种使用二维过渡金属硫族化合物纳米片和金属制备纳米复合材料的方法，其特征包括如下步骤：

（a）制备二维过渡金属硫族化合物纳米片：将摩尔比为1:1～1:12的过渡金属硫族化合物和正丁基锂在Ar（氩气，一种惰性气体）的保护下，室温搅拌12～48 h（根据实验探索结果得到）；在反应得到的锂插层的二维过渡金属硫族化合物纳米片中加入超纯水，得到单层或数层的二维过渡金属硫族化合物纳米片，通过离心提纯，得到一定浓度的可分散的单层或者数层二维过渡金属硫族化合物纳米片分散液；

（b）配制作为还原剂的溶液: 称取一定量的还原剂，配制成10-100 mmol/L的还原剂溶液；

（c）配制作为稳定剂的溶液: 称取一定量的稳定剂，配制成10-100 mmol/L的稳定剂溶液；

（d）配制金属源：在超纯水中加入一定量的金属盐，配制成浓度为10-100 mmol/L的金属离子溶液；

（e）将得到的二维过渡金属硫族化合物纳米片水分散液装入反应容器内，调节溶液的pH值在8-9范围内，将制备的还原剂和稳定剂注入反应容器内，随后注入相应的金属离子溶液，通过冰浴、水热或者微波方法制备出二维过渡金属硫族化合物—金属纳米复合材料。

2.根据权利要求1所述的一种使用二维过渡金属硫族化合物纳米片和金属制备纳米复合材料的方法，其特征在于步骤（a）中的过渡金属硫族化合物包括有：MoS₂、WS₂、TiS₂、ZrS₂、HfS₂、VS₂、NbS₂、TaS₂、CrS₂、MoSe₂、WSe₂、TiSe₂、ZrSe₂、HfSe₂、VSe₂、NbSe₂、TaSe₂、CrSe₂、MoTe₂、WTe₂、TiTe₂、ZrTe₂、HfTe₂、VTe₂、NbTe₂、TaTe₂、CrTe₂。

3.根据权利要求1所述的一种使用二维过渡金属硫族化合物纳米片和金属制备纳米复合材料的方法，其特征在于步骤（b）中还原剂为硼氢化钠（NaBH₄）、柠檬酸钠（SC）及抗坏血酸（AA）。

4.根据权利要求1所述的一种使用二维过渡金属硫族化合物纳米片和金属制备纳米复合材料的方法，其特征在于步骤（c）中稳定剂为十二烷基硫酸钠（SDS）、聚乙烯基吡咯烷酮（PVP）、吐温80（Tween 80）、羧甲基素纤维钠（CMC）、聚赖氨酸、牛血清蛋白、聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸等。

5.根据权利要求1所述的一种使用二维过渡金属硫族化合物纳米片和金属制备纳米复合材料的方法，其特征在于步骤（d）中的金属盐为金属金、银、钯、铂、铜、钌、铑、铱、铼、锇的氯化物、溴化物、氟化物、硝酸盐、硫酸盐、磷酸盐、碳酸盐、醋酸盐、碘酸盐、氯酸盐、溴酸盐。

6.根据权利要求1所述的一种使用二维过渡金属硫族化合物纳米片和金属制备纳米复合材料的方法，其特征在于步骤（e）中的还原剂与稳定剂的摩尔比为，还原剂：稳定剂 = 1:（1～5）。