[发明专利]保护环结构及其制造方法

权利要求书

1.一种保护环结构，其特征在于，包括：

半导体基板，具有为第一环状物与第二环状物所环绕的电路区，该第一环状物与该第二环状物分别包括：

分隔的多个第一掺杂区，形成于该半导体基板的上部；以及

互连组件，形成于该半导体基板上，覆盖该多个第一掺杂区。

2.根据权利要求1所述的保护环结构，其特征在于，进一步包括隔离区，形成于该半导体基板的上部，且位于该多个第一掺杂区之间并与该多个第一掺杂区相邻。

3.根据权利要求1所述的保护环结构，其特征在于，该互连组件包括交错堆叠于该半导体基板上的多个导电通孔与多个导线。

4.根据权利要求3所述的保护环结构，其特征在于，该多个导电通孔与该多个导线为铝或铜。

5.根据权利要求1所述的保护环结构，其特征在于，该半导体基板具有第一掺杂类型，该多个第一掺杂区具有该第一掺杂类型或相反于该第一掺杂类型的第二掺杂类型。

6.根据权利要求5所述的保护环结构，其特征在于，该第一掺杂类型为P型，该第二掺杂类型为N型。

7.一种保护环结构，其特征在于，包括：

半导体基板，具有为第一环状物与第二环状物所环绕的电路区，其中该半导体基板具有第一掺杂类型，该第一环状物与该第二环状物分别包括：

第一掺杂区，埋设于该半导体基板的一部分中，具有相反于该第一掺杂类型的第二掺杂类型；以及

互连组件，形成于该半导体基板上，覆盖该第一掺杂区。

8.根据权利要求7所述的保护环结构，其特征在于，该第一环状物与该第二环状物进一步包括：

分隔的多个第二掺杂区，形成于该半导体基板的上部，覆盖该第一掺杂区，且具有该第一掺杂类型，其中该互连组件覆盖该多个第二掺杂区。

9.根据权利要求8所述的保护环结构，其特征在于，进一步包括隔离区，形成于该半导体基板的上部，且位于该多个第二掺杂区之间并与该多个第二掺杂区相邻。

10.根据权利要求7所述的保护环结构，其特征在于，该互连组件包括交错地堆叠于该半导体基板上的多个导电通孔与多个导线。

11.根据权利要求10所述的保护环结构，其特征在于，该多个导电通孔与该多个导线为铝或铜。

12.根据权利要求7所述的保护环结构，其特征在于，该第一掺杂类型为P型，该第二掺杂类型为N型。

13.根据权利要求7所述的保护环结构，其特征在于，该第一环状物与该第二环状物进一步包括阱区，埋设于该半导体基板中并设置于邻近该第一掺杂区，且该阱区具有该第一掺杂类型。

14.一种保护环的制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体基板，具有第一掺杂区形成该半导体基板的上部；

形成多个图案化的光阻层于该半导体基板上，环绕该半导体基板，其中该多个图案化的光阻层中的每一个分别包括沿着第一方向延伸的多个平行的第一条状部以及形成于该多个平行的第一条状部之间且沿垂直于该第一方向的第二方向延伸的多个第一桥接部；

使用该多个图案化的光阻层作为蚀刻掩膜，对该第一掺杂区执行蚀刻工艺，移除未被该多个图案化的光阻层所覆盖的该第一掺杂区，并形成多个图案化的第一掺杂区，其中该多个图案化的第一掺杂区中的每一个分别包括沿着该第一方向延伸的多个平行的第二条状部，以及形成于该多个平行的第二条状部之间且沿着垂直于该第一方向的该第二方向延伸的多个第二桥接部；

移除该多个图案化的光阻层；以及

形成多个互连组件于该半导体基板上，分别覆盖该多个互连组件下方的该多个图案化的第一掺杂区的其中之一。

15.根据权利要求14所述的保护环的制造方法，其特征在于，进一步包括：形成隔离区位于该多个图案化的第一掺杂区之间并且该隔离区与该多个图案化的第一掺杂区相邻。

16.根据权利要求14所述的保护环的制造方法，其特征在于，该半导体基板具有第一掺杂类型，该第一掺杂区具有该第一掺杂类型或相反于该第一掺杂类型的第二掺杂类型。