[发明专利]化学清洗装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种化学清洗装置。

背景技术

在现有的半导体制造工艺中，当经过刻蚀工艺之后，形成有半导体结构的晶圆表面容易产生杂质和聚合物残留，而这些残留的杂质和聚合物容易对后续的处理工艺造成影响，例如沉积工艺。因此，为了排除这些杂质或聚合物，需要在各工艺步骤之间进行清洗工艺。化学湿法清洗是目前较为常用的清洗晶圆表面的方法之一。

图1是现有技术的一种化学清洗装置的剖面结构示意图，包括：

用于盛放化学清洗液的储液箱100，所述储液箱100内盛放有清洗液110；

用于清洗晶圆的处理腔室101，所述处理腔室101内具有待处理晶圆，所述晶圆表面形成有半导体结构；

位于所述储液箱100顶部的输液管道102，所述输液管道102的另一端与处理腔室101的底部连接，用于将处理腔室101排出的清洗液110输入储液箱100内；

位于所述储液箱100底部的输出管道103，所述输出管道103的另一端与处理腔室101的顶部连接，用于将储液箱100中的清洗液110输送至处理腔室101，以对处理腔室101中的晶圆进行化学清洗工艺；

与所述输出管道103连接的过滤装置104，用于去除清洗液110中的杂质，使经过过滤装置的清洗液110能够进入处理腔室101继续用于清洗晶圆；

与所述输出管道103连接的加热装置105，用于使经过过滤的清洗液110加热至适合用于晶圆清洗的温度。

然而，采用现有的化学清洗装置进行清洗之后，容易使形成于晶圆表面的半导体结构的形貌不良。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种化学清洗装置，提高化学清洗装置的清洗效果。

为解决上述问题，本发明提供一种化学清洗装置，包括：储液箱，所述储液箱用于盛放化学清洗液；位于所述储液箱顶部的主送管道，用于将化学清洗液自储液箱外部输送至储液箱内部，所述主送管道自所述储液箱外部通入所述储液箱内部，且所述主送管道伸入储液箱内的长度可调；位于所述储液箱内部的若干分液管道，所述分液管道的一端与所述主送管道连通，所述分液管道的另一端向储液箱的侧壁方向延伸且高于化学清洗液的液面，用于将主送管道内的化学清洗液分流至若干分液管道内，并通过所述分液管道向储液箱内输送化学清洗液，所述分液管道与主送管道之间具有夹角，且所述夹角大小可调；位于所述储液箱内侧壁表面的引流装置，用于分散所述分液管道送出的化学清洗液，并使所述化学清洗液通过所述引流装置的引导流入储液箱内，所述分液管道朝向储液箱侧壁一端的活动范围在所述引流装置覆盖的范围内，且所述分液管道到引流装置之间的距离在预设范围内；位于所述储液箱底部的输出管道，用于将储液箱中的化学清洗液输送出所述储液箱。

可选的，所述引流装置包括：若干垂直设置于储液箱侧壁表面的引流层，若干引流层之间相互平行，所述引流层相对于储液箱内的化学清洗液的液面倾斜，相邻引流层之间构成引流沟槽。

可选的，所述引流装置还包括：位于至少一道引流沟槽内的至少一个引流通道，所述引流通道的两端分别与两道引流沟槽相互贯通。

可选的，当位于同一引流沟槽内的引流通道数量大于1时，位于同一引流沟槽内的引流通道之间的距离为5厘米～15厘米。

可选的，位于相邻两道引流沟槽内的引流通道的位置相互交错。

可选的，所述引流通道的侧壁与引流层连接，且所述引流通道的侧壁垂直于储液箱的侧壁表面。

可选的，所述引流层表面具有若干凸部。

可选的，所述凸部的形状为圆形、矩形、锥形中的一种或多种。

可选的，相邻两层引流层之间的距离为8厘米～12厘米。

可选的，所述引流装置环绕所述储液箱的内侧壁表面一周；所述引流装置的底部等于或高于储液箱内的化学清洗液的液面。

可选的，还包括：位于所述储液箱的内侧壁表面的台阶装置，所述台阶装置的底部设置于所述储液箱的底部，所述台阶装置的顶部低于或等于所述引流装置的底部，所述台阶装置自储液箱底部向顶部逐级递减，所述台阶装置的顶部高于或等于储液箱内的化学清洗液的液面。

可选的，所述储液箱为圆柱形，所述分液管道的数量为1～2πr/L，其中，r为所述储液箱的半径，L为相邻分液管道向引流装置延伸一端之间的距离，且若干分液管道之间的夹角相等。

可选的，所述相邻分液管道向引流装置延伸一端之间的距离L为31.7厘米～34.9厘米。