[发明专利]密封体的制造方法、密封体制造用框状间隔件、密封体及电子设备在审
| 申请号： | 201310399728.1 | 申请日： | 2013-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN103681378A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 鸟成刚;宍户雄一郎 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/31 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王玉玲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 密封 制造 方法 体制 造用框状 间隔 电子设备 | ||
1.一种密封体的制造方法，其包括：
被附着体准备工序，准备相对于第一主面位移地搭载有至少1个电子部件的被附着体；
框状间隔件准备工序，准备在与所述电子部件对应的位置形成有开口的框状间隔件；
以在所述开口中收容所述电子部件的方式将所述框状间隔件与所述引线框重叠的工序；
第一压接工序，在将所述框状间隔件重叠的状态下，在与所述第一主面相反侧的第二主面上压接片状热固性树脂组合物；
框状间隔件除去工序，除去所述框状间隔件；以及
第二压接工序，以将所述电子部件埋入的方式将与所述片状热固性树脂组合物相同种类或不同种类的片状热固性树脂组合物压接到所述第一主面。
2.根据权利要求1所述的密封体的制造方法，其中，
利用平板冲压加工进行所述第一压接工序及所述第二压接工序中的至少1个工序。
3.根据权利要求2所述的密封体的制造方法，其中，
隔着间隔件进行所述平板冲压加工来调整所述片状热固性树脂组合物的厚度。
4.根据权利要求1所述的密封体的制造方法，其中，
在减压气氛下进行所述第一压接工序及所述第二压接工序中的至少1个工序。
5.根据权利要求1所述的密封体的制造方法，其中，
以在所述被附着体上搭载多个电子部件、将该多个电子部件同时埋入的方式进行所述第二压接工序。
6.一种密封体制造用框状间隔件，其被用于权利要求1～5中任一项所述的密封体的制造方法中，在与所述电子部件对应的位置形成有开口。
7.一种密封体，其利用权利要求1～5中任一项所述的密封体的制造方法得到。
8.一种电子设备，其通过将权利要求7所述的密封体切割而得。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日东电工株式会社，未经日东电工株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310399728.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种具有加湿功能的水循环电热毯设备
- 下一篇：一种保健酒
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
