[发明专利]形成纳米晶的方法和制造有机发光显示装置的方法

说明书

提供了一种形成纳米晶的方法和一种制造包括其中具有纳米晶的金属化合物薄膜的有机发光显示装置的方法。形成纳米晶的方法包括：在第一压力下通过使用反应溅射工序形成金属化合物薄膜；以及在低于第一压力的第二压力下通过使用反应溅射工序在金属化合物薄膜中形成纳米晶。

优先权要求

本申请要求于2013年2月8日向韩国专利局提交的第10-2013-0014649号韩国专利申请的优先权，该韩国申请的全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本发明的实施方式一般涉及形成纳米晶的方法和制造包括其中具有纳米晶的薄膜的有机发光显示装置的方法，更具体地，涉及通过溅射工序形成纳米晶的方法和制造包括其中具有纳米晶的薄膜的有机发光显示装置的方法。

背景技术

形成在电子设备中使用的薄膜的工序包括沉积工序、电镀工序、化学气相沉积工序或溅射工序。在这些工序中，广泛使用溅射工序，因为溅射工序容易控制薄膜的微小纹理和成分并且还能够进行大规模生产。

溅射技术是膜形成技术，其中等离子体用于生成离子，离子撞击溅射目标使得溅射目标的原子堆叠在衬底上作为膜。溅射技术用于生成特别在半导体和光电工业中使用的各种制造工序中的金属膜、氧化膜、氮化膜和半导体膜。

当薄膜在低温下使用溅射技术堆叠时，形成非晶膜。然而，非晶膜在增加非晶膜的密度或光学特性方面具有不足。尽管已经尝试通过掺杂或添加其他的材料克服薄膜形成工序中的不足，但是外来材料的添加可能恶化薄膜的其它期望特征。

发明内容

本发明提供了一种低温下在薄膜中形成纳米晶的方法。

本发明还提供了一种制造包括具有纳米晶的薄膜的有机发光显示装置的方法。

根据本发明的一方面，提供了一种形成纳米晶的方法，该方法包括：在第一压力下通过执行反应溅射工序形成金属化合物薄膜；在低于所述第一压力的第二压力下通过执行所述反应溅射工序在所述金属化合物薄膜中形成所述纳米晶。

所述金属化合物可为金属氧化物或金属氮化物。

所述第一压力可以是所述第二压力的5倍或更大。

所述第一压力可为约0.1Pa至约1Pa，并且所述第二压力可为约0.01Pa至约0.1Pa。

所述纳米晶的大小和密度中的至少一个可随着所述第一压力和所述第二压力之间的压力差的增加而增加。

所述金属化合物薄膜可为非晶相。

所述金属化合物薄膜可具有100nm或更小的厚度。

所述纳米晶在100℃或更低的温度下形成。

所述金属化合物薄膜的密度可通过在所述金属化合物薄膜中形成所述纳米晶而增加。

所述金属化合物薄膜的光学带隙能量可通过在所述金属化合物薄膜中形成所述纳米晶而增加。

所述纳米晶可通过使所述金属化合物薄膜中的金属晶化而形成。

所述纳米晶可通过使用溅射粒子的动能而形成。

所述纳米晶的大小和密度中的至少一个随着溅射粒子的动能的增加而增加。

所述金属化合物薄膜可包括选自ITO、ZnO、SnOx、ZrOx、TiOx、AlOx、TiN、SiN和AlN中的至少一种。

根据本发明的一方面，提供了一种具有根据上述方法形成的纳米晶的金属化合物薄膜。