[发明专利]形成纳米晶的方法和制造有机发光显示装置的方法

权利要求书

1.一种形成纳米晶的方法，包括：

在第一压力下通过执行反应溅射工序形成金属化合物薄膜；

在低于所述第一压力的第二压力下通过执行所述反应溅射工序在所述金属化合物薄膜中形成所述纳米晶；

其中所述金属化合物薄膜为非晶相。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述金属化合物为金属氧化物或金属氮化物。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述第一压力是所述第二压力的5倍或更大。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述第一压力为0.1Pa至1Pa，所述第二压力为0.01Pa至0.1Pa。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述纳米晶的大小和密度中的至少一个随着所述第一压力和所述第二压力之间的压力差的增加而增加。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述金属化合物薄膜具有100nm或更小的厚度。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述纳米晶在100℃或更低的温度下形成。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述金属化合物薄膜的密度通过在所述金属化合物薄膜中形成所述纳米晶而增加。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述金属化合物薄膜的光学带隙能量通过在所述金属化合物薄膜中形成所述纳米晶而增加。

10.如权利要求1所述的方法，其中所述纳米晶通过使所述金属化合物薄膜中的金属晶化而形成。

11.如权利要求1所述的方法，其中所述纳米晶通过使用在所述反应溅射工序中生成的溅射粒子的动能而形成。

12.如权利要求1所述的方法，其中所述纳米晶的大小和密度中的至少一个随着在所述反应溅射工序中生成的溅射粒子的动能的增加而增加。

13.如权利要求1所述的方法，其中所述金属化合物薄膜包括选自ITO、ZnO、SnOx、ZrOx、TiOx、AlOx、TiN、SiN和AlN中的至少一种。

14.如权利要求1所述的方法，包括在相同的温度下形成所述金属化合物和所述纳米晶。

15.一种制造有机发光显示装置的方法，包括：

在第一压力下通过使用反应溅射工序，在形成有所述有机发光显示装置的组成元件的至少一部分的衬底上形成金属化合物薄膜；以及

在低于所述第一压力的第二压力下通过使用所述反应溅射工序，在所述金属化合物薄膜中形成纳米晶；

其中所述金属化合物薄膜为非晶相。

16.如权利要求15所述的方法，其中所述有机发光显示装置包括第一电极、包括有机发光层的中间层、第二电极和所述衬底上的封装层，所述封装层包括形成有所述纳米晶的所述金属化合物薄膜。

17.如权利要求16所述的方法，其中所述封装层包括无机层和有机层。

18.如权利要求17所述的方法，其中所述无机层包括具有所述纳米晶的所述金属化合物薄膜。