[发明专利]清洗基板方法、流体喷头及流体喷头装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种清洗基板方法、流体喷头及流体喷头装置，特别是涉及一种能保持半导体晶圆或显示器用基板等基板清洁的清洗基板方法、流体喷头及流体喷头装置。

背景技术

半导体晶圆是经过多个制程步骤。由于每一道晶圆制程步骤都有潜在性的污染源，晶圆表面会有残留物如化学液体成分或是化学聚合物，会导致缺陷生成及元件特性失效。在清洗制程中，利用清洗液对晶圆进行处理，清除颗粒及污染物，而保持晶圆表面的清洁。

现有的清洗方式是借由化学药剂的浸泡或以喷嘴除去基板的残留物，清洗效果不佳，而影响后续制程的合格率；再者，清洗后的化学药剂的处理，相当繁复。

发明内容

本发明的目的在于提供一种提升清洁效果佳且二次处理液更为环保的清洗基板方法、流体喷头及流体喷头装置。

本发明清洗基板方法，包含以下步骤：

(A)使处理液溶解有二氧化碳，以形成二次处理液；

(B)将气体与二次处理液通入一流体喷头，且气体挤压二次处理液向下流动；

(C)二次处理液自该流体喷头喷出至一基板上；及

(D)二氧化碳从二次处理液中释出，以增加处理液接触基板表面的冲击力。

较佳地，该步骤(A)的处理液为去离子水。

应用所述清洗基板方法的流体喷头，该流体喷头包括：

一喷头本体，包括一第一内侧壁面、一沿一第一方向与该第一内侧壁面相间隔的第二内侧壁面、一连接该第一内侧壁面及该第二内侧壁面的内底壁面，及一相反于该内底壁面的外底壁面；

一容室，形成于该喷头本体且沿该第一方向延伸，该容室的两相反侧分别为该第一内侧壁面及该第二内侧壁面，该容室的底面为该内底壁面；

一进气管，设置于该喷头本体的上方并连通该容室；

一进液管，沿该第一方向延伸且一端连接该第二内侧壁面，并包括一邻近该第一内侧壁面的进液口，及至少一相反于该进气管一侧且连通该容室并沿该第一方向延伸的喷出口；及

多个喷射流道，彼此沿该第一方向相间隔并形成于该喷头本体，且连通该喷头本体的该内底壁面及该外底壁面。

较佳地，该进液管的喷出口数量为二个并彼此相间隔。

较佳地，该进气管设置于该喷头本体中央的上方，定义一通过该进气管的轴线，所述喷出口相对于该轴线倾斜一倾角。

较佳地，所述喷射流道呈狭长状。

应用所述清洗基板方法的流体喷头装置，该流体喷头装置包含：

二流体喷头，其左右设置，各该流体喷头包括

一喷头本体，包括一第一内侧壁面、一沿一第一方向与该第一内侧壁面相间隔的第二内侧壁面、一连接该第一内侧壁面及该第二内侧壁面的内底壁面，及一相反于该内底壁面的外底壁面；

一容室，形成于该喷头本体且沿该第一方向延伸，该容室的两相反侧分别为该第一内侧壁面及该第二内侧壁面，该容室的底面为该内底壁面；

一进气管，设置于该喷头本体的上方并连通该容室；

一进液管，沿该第一方向延伸且一端连接该第二内侧壁面，并包括一邻近该第一内侧壁面的进液口，及至少一相反于该进气管一侧且连通该容室并沿该第一方向延伸的喷出口；及

多个喷射流道，彼此沿该第一方向相间隔并形成于该喷头本体，且连通该喷头本体的该内底壁面及该外底壁面。

较佳地，各该进液管的喷出口数量为二个并彼此相间隔。

较佳地，各该进气管设置于对应的该喷头本体中央的上方，并定义一通过对应的该进气管的轴线，各该喷出口相对于对应的该轴线倾斜一倾角。

较佳地，所述喷射流道呈狭长状，各该喷头本体还包括一第一外侧面，所述喷头本体的各该第一外侧面位于该流体喷头装置的两相反侧，所述喷射流道自对应的该内底壁面朝对应的该第一外侧面倾斜延伸至对应的该外底壁面。

本发明的有益效果在于：通过流体喷头的设计，且清洗基板方法是供应二次处理液及气体至流体喷头，二次处理液流出喷射流道时，二氧化碳接触大气，二氧化碳会产生膨胀与爆裂，而能增加处理液清洗或去除基板表面的涂布物质或污染物质的能力和效率，使得基板的清洁效率大幅提升，有助于后续制程处理，进而提升产品合格率；再者，二次处理液与气体于清洗后并无难以处理的废液问题，制程上更为环保。

附图说明

图1是一流程图，说明本发明清洗基板方法的一较佳实施例；

图2是一立体图，说明该清洗基板方法应用的流体喷头装置；

图3是对应图2的俯视图；

图4是一沿图3中的线VI-VI所截取的剖视图；