[发明专利]半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述半导体器件的制造方法至少包括以下步骤：

S1：提供一衬底，在所述衬底上形成栅极结构；所述栅极结构正下方的衬底中设有沟道区域；

S2：刻蚀所述栅极结构两侧的衬底区域，形成凹蚀区域，并在所述凹蚀区域表面进行离子注入，以使所述凹蚀区域表面非晶化；

S3：沉积应力层，所述应力层覆盖所述凹蚀区域表面及所述栅极结构表面；然后进行退火，使非晶化的凹蚀区域表面再结晶以产生第一应力，所述第一应力与所述应力层产生的的第二应力相叠加并传递至所述沟道区域且保留在所述沟道区域中；

S4：去除所述应力层，并在所述栅极结构两侧的凹蚀区域中分别形成源极和漏极。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：于所述步骤S2中，采用Ge元素、Sn元素或C元素中的至少一种进行离子注入。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：于所述步骤S2中，离子注入的能量范围是0.5～50KeV，离子注入剂量范围是5E13～5E15atoms/cm²，离子注入角度范围是15～45°。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：于所述步骤S3中，所述应力层为拉应力层或压应力层。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：所述应力层的材料包括TaC或SiN。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：于所述步骤S1之后还包括在所述栅极结构两侧区域的衬底中进行轻掺杂的步骤，所述轻掺杂采用砷、磷、硼或铟元素中的一种或多种。

7.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：所述衬底为SOI衬底，其包括埋氧层，所述凹蚀区域底部高于所述埋氧层底部。

8.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：所述衬底为SOI衬底，其包括埋氧层，所述凹蚀区域底部低于或齐平于所述埋氧层底部。

9.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：所述源极及漏极的材料包括Si、Si_1-xGe_x、Si_1-yC_y或Si_1-a-bGe_aC_b中的至少一种，其中x的取值范围是0.1～0.5，y的取值范围是0.01～0.1，a的取值范围是0.1～0.35，b的取值范围是0.01～0.05。

10.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：所述源极及漏极采用外延法或超高真空化学气相沉积法形成。

11.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：所述凹蚀区域的深度范围是30～100nm。

12.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：于所述步骤S3中，所述退火温度的范围是950～1200℃，时间范围是40ms～30s。