[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201310393098.7 | 申请日： | 2013-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN104425603A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 钟汇才 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件，包括：
多个鳍片，形成在衬底中多个第一沟槽之间，沿第一方向延伸分布；
栅极堆叠，跨域多个，沿第二方向延伸分布；
源漏区，形成在栅极堆叠沿第一方向两侧的鳍片中；
其中，每个鳍片顶部包括多个子鳍片，由多个第二沟槽分隔每个鳍片而形成。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，衬底材质选自Si、Ge、SOI、GeOI、应变硅、SiGe、GaN、GaAs、InP、InSb、石墨烯、SiC、碳纳管的任一及其组合。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其中，第二沟槽的深度小于第一沟槽的深度。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其中，每个鳍片包括2～20个子鳍片。
5.如权利要求1所述的半导体器件，其中，每个鳍片中各个子鳍片的宽度相同或者不同。
6.一种半导体器件的制造方法，包括：
在衬底上形成多个第一硬掩模线条，沿第一方向延伸分布；
以第一硬掩模线条为掩模，刻蚀衬底，形成多个第一沟槽，包围了多个鳍片；
刻蚀第一硬掩模线条，形成暴露衬底的多个开口，将第一硬掩模线条分隔为多个子硬掩模线条；
以多个子硬掩模线条为掩模，刻蚀衬底，形成多个第二沟槽，在鳍片顶部分隔出多个子鳍片；
去除多个子硬掩模线条，留下鳍片以及多个子鳍片。
7.如权利要求6的方法，其中，硬掩模线条的材质选自氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、非晶碳、类金刚石无定形碳（DLC）的任一及其组合。
8.如权利要求6的方法，其中，鳍片或衬底的材质选自Si、Ge、SOI、GeOI、应变硅、SiGe、GaN、GaAs、InP、InSb、石墨烯、SiC、碳纳管的任一及其组合。
9.如权利要求6的方法，其中，第一硬掩模线条的宽度为50～200nm，间距为10～50nm。
10.如权利要求6的方法，其中，刻蚀衬底的步骤采用湿法腐蚀。
11.如权利要求10的方法，其中，湿法腐蚀液选自TMAH、KOH、强酸与强氧化剂的组合中的任一。
12.如权利要求10的方法，其中，调整湿法腐蚀的浓度、温度来调节第一沟槽和/或第二沟槽的倾角。
13.如权利要求10的方法，其中，刻蚀衬底时，第一硬掩模线条和/或子硬掩模线条下方的衬底存在凹进。
14.如权利要求6的方法，其中，各个子硬掩模线条的宽度相同或者不同。
15.如权利要求14的方法，其中，单个子硬掩模线条的宽度为2～40nm。
16.如权利要求6的方法，其中，每个第一硬掩模线条分隔出的子硬掩模线条数目为1～19个。
17.如权利要求6的方法，其中，采用湿法和/或干法刻蚀去除子硬掩模线条。
18.如权利要求6的方法，其中，留下鳍片之后进一步包括在鳍片和子鳍片上沉积并刻蚀形成沿第二方向延伸分布的栅极堆叠，以及在栅极堆叠沿第一方向的两侧的鳍片和子鳍片中形成源漏区。
19.如权利要求6的方法，其中，第二沟槽的深度小于第一沟槽的深度。
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