[发明专利]封装件、基板和存储卡在审
申请号: | 201310388903.7 | 申请日: | 2013-08-30 |
公开(公告)号: | CN103681566A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 卢永勋;金承焕;朴正镐 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;G11C5/00 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 张云珠;郭鸿禧 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 存储 | ||
该申请要求于2012年8月30日在韩国知识产权局提交的第10-2012-0095594号韩国专利申请的优先权,该韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。
技术领域
本公开总体涉及电子领域,更具体地说,涉及半导体封装件。
背景技术
在板上芯片(COB)型封装件中,半导体芯片直接安装在印刷电路板上。COB型封装件可以用在智能卡产品中,插在智能卡产品中的半导体芯片可以与读卡器接触。可以通过与读卡器接触来从半导体芯片读出数据或者将数据写入半导体芯片。
COB型封装件可以包括作为电路或电极的铜层。铜层可以被镀覆有包括诸如Au、Ni/Pd或Ni/Au的昂贵材料的层,以防止铜层被氧化并且提供用于引线键合工艺的表面。
发明内容
一种半导体封装件可以包括具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的芯。芯可以包括穿透芯的通孔。半导体封装件还可以包括位于芯的第一表面上的金属焊盘,通孔可以暴露金属焊盘的一部分。半导体封装件还可以包括位于芯的第二表面上的半导体芯片,金属焊盘可以包括耐盐水(saline water)腐蚀的表面。
在各个实施例中,半导体封装件可以包括使半导体芯片电连接到金属焊盘的键合引线,键合引线可以穿过通孔,以连接到金属焊盘。
在各个实施例中,半导体封装件还可以包括:通路(through via),位于通孔中并电连接到金属焊盘,芯片焊盘,位于芯的第二表面上并电连接到通路;以及焊料凸起,位于半导体芯片上。焊料凸起可以接触芯片焊盘,从而半导体芯片可以电连接到金属焊盘。
根据各个实施例,金属焊盘可以包括铝、不锈钢或黄铜。
在各个实施例中,耐盐水腐蚀的表面可以包括位于金属焊盘上的包含铬(Cr)和/或锆(Zr)的表面膜。
在各个实施例中,芯可以包括玻璃环氧树脂或半固化片材料。
在各个实施例中,半导体封装件可以包括位于芯的第一表面和金属焊盘之间的粘合层。
一种制造半导体封装件的方法,所述方法可以包括:设置包括第一表面和与第一表面相对的第二表面的芯;形成穿透芯的通孔并在芯的第一表面上形成金属焊盘。所述方法还可以包括处理金属焊盘的表面以形成耐盐水腐蚀的表面。所述方法还包括将半导体芯片安装在芯的第二表面上并使半导体芯片电连接到金属焊盘,并且在芯的第二表面上形成成型层(molding layer)以包封半导体芯片。
根据各个实施例,形成金属焊盘的步骤可以包括使金属箔附着在芯的第一表面上并将金属箔图案化以形成金属焊盘。通孔可以部分暴露金属焊盘的下表面,芯可以完全暴露金属焊盘的上表面。金属箔可以包括铝、不锈钢或黄铜。
在各个实施例中,所述方法还可以包括:在附着金属箔之前,在芯的第一表面上形成粘合层。粘合层可以在芯的第一表面和金属焊盘之间延伸。
在各个实施例中,所述方法还可以包括形成穿过通孔并使半导体芯片电连接到金属焊盘的键合引线。
根据各个实施例,所述方法可以包括:在通孔中形成包括导电材料的通路;在芯片的第二表面上形成芯片焊盘并使芯片焊盘电连接到通路;以及在半导体芯片上形成焊料凸起。通路可以电连接到金属焊盘,焊料凸起可以接触芯片焊盘,从而半导体芯片可以电连接到金属焊盘。
在各个实施例中,处理金属焊盘的表面的步骤可以包括利用铬(Cr)和/或锆(Zr)的化学制剂处理金属焊盘的表面。
根据各个实施例,芯可以安装在沿某一方向延伸的胶带上,半导体芯片可以为多个半导体芯片中的安装在多个封装件基板中的各封装件基板上的一个半导体芯片。所述方法还可以包括切割胶带以使所述多个封装件基板彼此分开。
一种封装件基板可以包括:芯,包括第一表面和与第一表面相对的第二表面,在第一表面上设置有半导体芯片。封装件基板还可以包括位于芯的第二表面上的铝焊盘。铝焊盘可以包括耐盐水腐蚀的表面。
根据各个实施例,耐盐水腐蚀的表面可以包括位于铝焊盘上的铬(Cr)和/或锆(Zr)的表面膜。
在各个实施例中,芯可以包括穿透芯的通孔,并且通孔可以暴露铝焊盘的表面。
在各个实施例中,铝焊盘的被通孔暴露的表面可以包括铬(Cr)和/或锆(Zr)。
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