[发明专利]一种阵列基板及其制备方法和显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，包括衬底基板以及设置在所述衬底基板上的数据线和扫描线，所述数据线和所述扫描线围成多个像素区域，所述像素区域内设置有薄膜晶体管、公共电极及公共电极线，所述薄膜晶体管包括栅电极、源电极、漏电极和有源层，所述栅电极设置在所述有源层的上方，所述源电极和所述漏电极分别设在所述有源层的相对两侧，其特征在于，所述数据线和所述公共电极线同层设置在所述衬底基板上，且位于所述有源层下方，所述数据线和所述公共电极线相隔设置，所述公共电极上设置有连接区，所述连接区在正投影方向上至少部分与公共电极线重叠，所述公共电极与公共电极线通过连接区与公共电极线之间的第一过孔实现电连接。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述数据线和所述公共电极线采用相同的导电材料。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层采用低温多晶硅材料，所述源电极和所述漏电极采用离子注入的方式形成在所述有源层的相对两侧，所述公共电极线形成在漏电极的下方。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括缓冲层，所述缓冲层设置在所述有源层的下方以及所述衬底基板的上方，所述数据线和所述公共电极线被所述缓冲层覆盖。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括栅绝缘层，所述栅绝缘层设置在所述有源层的上方以及所述栅电极的下方。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括设置在所述栅电极上方的中间介电层。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述缓冲层、所述栅绝缘层和所述中间介电层在对应着所述数据线的位置开设有第二过孔，所述栅绝缘层和所述中间介电层在对应着所述源电极的位置开设有第三过孔，所述数据线和所述源电极通过所述第二过孔以及所述第三过孔电连接。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括设置在中间介电层上方的像素电极，以及设置在所述像素电极和所述公共电极之间的钝化层；所述像素电极与所述公共电极在正投影方向上至少部分重叠；

所述公共电极位于钝化层的上方，所述像素电极位于钝化层的下方，所述栅绝缘层、所述中间介电层在对应着所述漏电极的位置开设有第四过孔，所述像素电极和所述漏电极通过所述第四过孔电连接，所述公共电极为狭缝状，所述像素电极为板状或狭缝状，连接区与公共电极线之间的第一过孔贯穿缓冲层、栅绝缘层、中间介电层和钝化层；或者，所述公共电极位于钝化层的下方，所述像素电极位于钝化层的上方，所述栅绝缘层、所述中间介电层在对应着所述漏电极的位置开设有第四过孔，所述钝化层在对应着所述漏电极的位置开设有第五过孔，所述像素电极和所述漏电极通过所述第四过孔和第五过孔电连接，所述公共电极为板状或狭缝状，所述像素电极为狭缝状，所述连接区与公共电极线之间的第一过孔贯穿缓冲层、栅绝缘层和中间介电层。

9.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板中还包括遮光金属层，所述遮光金属层与所述数据线和公共电极线同层设置在所述衬底基板上，所述遮光金属层设置在所述有源层下方，且在正投影方向上与所述有源层至少部分重叠。

10.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光金属层设置在所述源电极和所述漏电极对应的区域之间，且在正投影方向上与所述栅电极至少部分重叠。

11.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层中还设置有轻掺杂漏电极，所述轻掺杂漏电极设置在所述源电极和所述漏电极之间，且分布在所述栅电极对应的区域的两侧。

12.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1～11任一权项所述的阵列基板。