[发明专利]电子照相感光构件及其生产方法、处理盒和电子照相设备有效

专利信息
申请号: 201310386714.6 申请日: 2013-08-30
公开(公告)号: CN103676509A 公开(公告)日: 2014-03-26
发明(设计)人: 藤井淳史;友野宽之;辻晴之 申请(专利权)人: 佳能株式会社
主分类号: G03G5/14 分类号: G03G5/14;G03G21/18;G03G15/00
代理公司: 北京魏启学律师事务所 11398 代理人: 魏启学
地址: 日本东京都大*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 电子 照相 感光 构件 及其 生产 方法 处理 设备
【说明书】:

技术领域

本发明涉及电子照相感光构件,具有电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备,以及电子照相感光构件的生产方法。

背景技术

近年来,积极地进行使用有机光导电性材料的电子照相感光构件(有机电子照相感光构件)的研究与开发。

电子照相感光构件基本上包括支承体和在支承体上形成的感光层。然而,事实上,为了覆盖支承体表面的缺陷、保护感光层不受电气破坏、改进带电性和改进从支承体至感光层的电荷注入阻止性,经常在支承体与感光层之间设置各种层。

支承体与感光层之间设置的层中,作为覆盖支承体表面的缺陷而设置的层,已知包含金属氧化物颗粒的层。通常,包含金属氧化物颗粒的层具有比不包含金属氧化物颗粒的层的导电性高的导电性(例如,体积电阻率为1.0×108至5.0×1012Ω·cm)。因此,即使层的膜厚度增加,在图像形成时残余电位也难以增加。出于该原因,容易覆盖支承体表面的缺陷。此类导电性高的层(下文中,称作导电层)设置在支承体与感光层之间从而覆盖支承体表面的缺陷。由此,支承体表面缺陷的容许范围较宽。结果,要使用的支承体的容许范围显著较宽,这导致可以改进电子照相感光构件的生产性的优点。

日本专利申请特开2004-151349记载了将掺杂有钽的氧化锡颗粒用于设置在支承体与阻挡层或感光层之间的中间层的技术。日本专利申请特开H01-248158和日本专利申请特开H01-150150记载了将掺杂有铌的氧化锡颗粒用于设置在支承体与感光层之间的导电层或中间层的技术。

然而,通过本发明人的检验显示,如果使用采用包含此类金属氧化物颗粒的层作为导电层的电子照相感光构件在低温低湿环境下重复形成图像,则在电子照相感光构件中可能发生泄漏。泄漏为部分电子照相感光构件局部击穿(break down),以及过量电流在此部分中流动的现象。如果发生泄漏,则电子照相感光构件不能充分地带电,这导致图像缺陷如黑点和横向黑条纹。横向黑条纹为沿与电子照相感光构件的旋转方向(圆周方向)垂直交叉的方向出现的黑条纹。

发明内容

本发明的目的是提供即使电子照相感光构件使用包含金属氧化物颗粒的层作为导电层也难以发生泄漏的电子照相感光构件,并且提供具有该电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备,以及电子照相感光构件的生产方法。

本发明为包括圆筒状支承体、在圆筒状支承体上形成的导电层和在导电层上形成的感光层的电子照相感光构件,其中导电层包含用掺杂有铌或钽的氧化锡涂布的金属氧化物颗粒和粘结剂材料,Ia和Ib满足关系式(i)和(ii),其中,在关系式(i)中,Ia[μA]为当进行将-1.0kV的仅具有直流电压的电压连续施加至导电层的试验时流过导电层的最大电流量的绝对值,在关系式(ii)中,Ib[μA]为当流过导电层的每分钟的电流量减小率首次达到1%以下时流过导电层的电流量的绝对值,

Ia≤6,000...(i)

10≤Ib...(ii),和

试验进行前的导电层的体积电阻率为不小于1.0×108Ω·cm且不大于5.0×1012Ω·cm。

此外,本发明为一体化地支承电子照相感光构件和选自由充电单元、显影单元、转印单元和清洁单元组成的组的至少一种单元的处理盒,所述盒可拆卸地安装在电子照相设备的主体上。

此外,本发明为包括电子照相感光构件,充电单元、曝光单元、显影单元和转印单元的电子照相设备。

此外,本发明为包括如下步骤的电子照相感光构件的生产方法:在圆筒状支承体上形成体积电阻率为不小于1.0×108Ω·cm且不大于5.0×1012Ω·cm的导电层,和在导电层上形成感光层,其中导电层的形成为使用溶剂、粘结剂材料和用掺杂有铌或钽的氧化锡涂布的金属氧化物颗粒制备导电层用涂布液,并且使用导电层用涂布液形成导电层,用于制备导电层用涂布液的用掺杂有铌或钽的氧化锡涂布的金属氧化物颗粒的粉末电阻率为不小于1.0×103Ω·cm且不大于1.0×105Ω·cm,导电层用涂布液中用掺杂有铌或钽的氧化锡涂布的金属氧化物颗粒(P)与粘结剂材料(B)的质量比(P/B)为不小于1.5/1.0且不大于3.5/1.0。

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