[发明专利]利用三次测量达成直接上变频发射机的快速本地振荡泄漏校正

说明书

技术领域

本发明与直流偏移校正技术相关，例如用以校正直接变频发射机中的本地振荡泄漏。

背景技术

直接上变频发射机(direct up-conversion transmitter)被应用在多种采用时分-同步码分多址(time division synchronous code division multiple access,TD-SCDMA)和宽频码分多址(wideband code division multiple access, W-CDMA)调制方案的通讯装置中。此类发射机的问题在于，输出端的本地振荡泄漏(local oscillator leakage)会增加误差向量幅度(error vector magnitude, EVM)。本地振荡泄漏通常有两种来源。首先，基频阶段产生的差动信号可能不对称，使得经过差动混频器后的上变频后信号出现直流偏移，亦称为载波馈通(carrier feed-through)。第二个来源则是直流本地振荡泄漏，产生于通往发射机输出端的射频路径中。芯片中的基频电路可对差动信号进行直流偏移校正，以移除差动本地振荡泄漏。然而，移除直流本地振荡泄漏的有效机制(尤其是内建于芯片中的机制)至今仍付之阙如。不幸的是，输出功率较低时，直流本地振荡泄漏的影响甚巨，会造成误差向量幅度上升。

直流偏移校正程序会针对特定装置决定其所需要的直流偏移校正量，并且通常是在产品制作程序中进行。一般而言，此校正程序是由芯片中的电路执行。实务上，若欲找出最佳校正量，可扫描所有可能的同相/正交直流偏移值，并测量相对应的本地振荡泄漏功率，直到本地振荡泄漏功率被最小化。这个做法的问题在于需要进行大量测试，其数量正比于扫描的解析度，导致难以兼顾测试效率及测试结果的正确性。

由于直流本地振荡泄漏的大小、相位会与发射机增益及本地振荡频率相关，上述扫描的范围必须涵盖多种功率等级(通常在-25dBm到-55dBm间)与多个频带，校正所需时间往往很长。然而，校正本地振荡泄漏偏移所需要的时间是影响生产线效率的重要因素。因此，现行技术存在发展兼顾正确性和校正效率的直流本地振荡泄漏偏移校正技术的需要。

发明内容

本发明所提出的直接变频发射机包含用以接收一输入信号的输入端口及用以传输一输出信号的输出端口。该发射机亦包含一混频级，用以将一输入信号上变频为具有一本地振荡频率。一直流偏移电路耦接至该输入端口，以提供储存于一存储器中的一组直流偏移信号。借由在该输入端口提供一测试信号，并于该输出端口进行不超过三次的差动频谱测量，一处理器决定一组最佳直流偏移信号。该组最佳直流偏移信号被提供至输入端口时，能最小化发射机的输出信号的本地振荡泄漏。已决定最佳直流偏移信号后，最佳直流偏移信号被储存在存储器中，并且被施加于随后作为输入信号的信息承载信号。

附图说明

为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本发明的具体实施方式作详细说明，其中：

图1为本发明的一具体实施例中的直接变频发射机电路的示意图。

图2用以呈现不良直流偏移成分对于一符号星状分布的影响和期望的校正结果。

图3绘示原点偏移抑制测量相关的一频谱。

图4为根据本发明的一实施例中的校正程序的流程图。

图5为本发明的另一具体实施例中的直接变频发射机电路的示意图。

图6的表格用以呈现将本发明的概念实施于TD-SCDMA收发器时所产生的结果范例。

图中元件标号说明：

100、500：发射机电路     102i、102q：输入信号

110i、110q：加法器       112i、112q：加法器输出信号

115i、115q：数字-模拟转换器   117i、117q：模拟信号

120i、120q：低通滤波器        121i、121q：混频器

122i、122q：过滤后信号        123：相位偏移器

125：混频级                   126：加法器

127：相加后信号               135：本地振荡器

140：增益可编程放大器         145：功率放大器

147：输出信号                 150：天线

155：耦接器                   157：耦接信号