[发明专利]电容器结构及其制作方法

权利要求书

1.一种电容器的制作方法，包括以下步骤：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上依次形成第一介质层以及第一多晶硅层，刻蚀所述第一多晶硅层以及第一介质层，暴露出部分半导体衬底；

在所述半导体衬底以及第一多晶硅层上依次形成第二介质层以及第二多晶硅层，刻蚀所述第二多晶硅层以及第二介质层，暴露出所述第一多晶硅层以及半导体衬底；

在所述半导体衬底以及第二多晶硅层上形成第三介质层，刻蚀所述第三介质层，形成沟槽，所述沟槽暴露出所述第二多晶硅层；

在所述第三介质层上以及所述沟槽中形成第四介质层，依次刻蚀所述第四介质层、第三介质层，形成第一通孔、第二通孔以及第三通孔，所述第一通孔暴露出所述半导体衬底，所述第二通孔暴露出所述第一多晶硅层，所述第三通孔暴露出所述第二多晶硅层；

在所述第一通孔、第二通孔、第三通孔以及沟槽中填充金属物。

2.如权利要求1所述的电容器的制作方法，其特征在于：所述半导体衬底设有浅沟道隔离层。

3.如权利要求2所述的电容器的制作方法，其特征在于：所述半导体衬底为硅衬底，所述浅沟道隔离层为二氧化硅。

4.如权利要求1所述的电容器的制作方法，其特征在于：所述第四介质层的材质为二氧化硅或氮化硅。

5.如权利要求4所述的电容器的制作方法，其特征在于：所述第四介质层的厚度范围是100埃～200埃。

6.如权利要求1所述的电容器的制作方法，其特征在于：所述金属物的材质为钨。

7.如权利要求6所述的电容器的制作方法，其特征在于：形成在所述沟槽中的钨的厚度范围是2000埃～4000埃。

8.如权利要求1所述的电容器的制作方法，其特征在于：所述第一介质层、第二介质层以及第三介质层的材质均为二氧化硅或氮化硅。

9.一种电容器的结构，采用如权利要求1至8中任意一种方法形成，包括：

半导体衬底；

依次形成于所述半导体衬底上的第一介质层、第一多晶硅层、第二介质层、第二多晶硅层、第三介质层以及第四介质层，所述第三介质层中设有沟槽，所述第四介质层形成在所述第三介质层表面以及沟槽内，所述第三介质层以及第四介质层中设有第一通孔、第二通孔和第三通孔，所述第一通孔暴露出所述半导体衬底，所述第二通孔暴露出所述第一多晶硅层，所述第三通孔暴露出所述第二多晶硅层；

形成于所述第一通孔、第二通孔、第三通孔以及沟槽中的金属物。

10.如权利要求9所述的电容器的结构，其特征在于：所述半导体衬底中设有浅沟道隔离层。

11.如权利要求10所述的电容器的结构，其特征在于：所述电容器为金属-多晶硅-多晶硅电容器。

12.如权利要求11所述的电容器的结构，其特征在于：所述第一介质层、所述第一多晶硅层、所述第二介质层以及所述第二多晶硅层形成在所述浅沟道隔离层上。

13.如权利要求10所述的电容器的结构，其特征在于：所述电容器为金属-多晶硅-多晶硅-硅衬底电容器。

14.如权利要求13所述的电容器的结构，其特征在于：所述第一介质层、所述第一多晶硅层、所述第二介质层以及所述第二多晶硅层形成于所述半导体衬底上。