[发明专利]发光二极管封装结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光二极管封装结构及其制造方法。

背景技术

相比于传统的发光源，发光二极管（Light Emitting Diode，LED）具有重量轻、体积小、污染低、寿命长等优点，其作为一种新型的发光源，已经被越来越广泛地应用。

在一般的发光二极管封装结构中，通常会设置一齐纳二极管（Zener diode），用于防止突波或静电造成元件电路受损。然而，传统的发光二极管封装结构中，齐纳二极管与发光二极管芯片通常是被设置在同一平面上，这样的设置会造成发光二极管芯片发出的光线容易被齐纳二极管吸收，从而减少了发光二极管封装结构的出光亮度。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种出光亮度较高的发光二极管封装结构及其制造方法。

一种发光二极管封装结构，其包括基板以及设置于该基板上的发光二极管芯片和齐纳二极管。所述齐纳二极管表面还形成有一反射层。

一种发光二极管封装结构的制造方法，其包括以下几个步骤：

提供一基板；

将一发光二极管芯片设置于基板上；

将一齐纳二极管设置于基板上；

在齐纳二极管表面通过点胶形成一反射层。

上述的发光二极管封装结构及其制造方法中，因为齐纳二极管的表面通过点胶方式覆盖一层反射层，该反射层可以对发光二极管芯发出的光线产生反射作用，所以可以大大减少齐纳二极管对发光二极管芯片所发出的光线的吸收，从而可以提高发光二极管封装结构的出光亮度。

附图说明

图1为本发明实施方式中的发光二极管封装结构的俯视图。

图2为图1中的发光二极管封装结构的侧视图。

图3至图8为本发明实施方式中的发光二极管封装结构的制造方法的各步骤示意图。

主要元件符号说明

发光二极管封装结构100基板10发光二极管芯片20齐纳二极管30封装层40反射层50第一电极11第二电极12绝缘层13

如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。

具体实施方式

下面将结合附图，对本发明作进一步的详细说明。

请参阅图1以及图2，本发明实施方式提供的一种发光二极管封装结构100包括基板10、设置于基板10上的发光二极管芯片20和齐纳二极管30以及覆盖发光二极管芯片20和齐纳二极管30的封装层40。

所述基板10大致呈一矩形的板状结构，其包括第一电极11、第二电极12以及位于第一电极11和第二电极12之间的绝缘层13。所述第一电极11和第二电极12相互间隔，所述绝缘层13充填于第一电极11与第二电极12之间的间隙内，用于连接第一电极11与第二电极12并使两者电绝缘。在本实施方式中，所述第一电极11为p型电极，所述第二电极12为n型电极。