[发明专利]发光二极管封装结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201310383351.0 | 申请日： | 2013-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN104425694A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 林厚德;叶辅湘;张超雄;陈滨全;陈隆欣 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/60 | 分类号： | H01L33/60;H01L25/16 |
| 代理公司： | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 | 代理人： | 叶小勤 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光二极管封装结构，其包括基板以及设置于该基板上的发光二极管芯片和齐纳二极管，其特征在于：所述齐纳二极管表面还形成有一反射层。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述基板包括第一电极、第二电极以及位于第一电极和第二电极之间的绝缘层。
3.如权利要求2所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述发光二极管芯片设置于第一电极上，并且通过导线分别电性连接第一电极和第二电极，所述齐纳二极管设置于第二电极上，并分别电性连接第一电极和第二电极。
4.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：反射层为可固性不透明胶体，其通过点胶方式形成在齐纳二极管表面，并覆盖齐纳二极管。
5.如权利要求4所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述反射层内还含有反射颗粒TiO2或SiO2。
6.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述发光二极管封装结构还包括一封装层，所述封装层形成在基板的上表面上，并覆盖发光二极管芯片、齐纳二极管以及反射层。
7.一种发光二极管封装结构的制造方法，其包括以下几个步骤：
提供一基板；
将一发光二极管芯片设置于基板上；
将一齐纳二极管设置于基板上；
在齐纳二极管表面通过点胶形成一反射层。
8.如权利要求7所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述基板包括第一电极、第二电极以及位于第一电极和第二电极之间的绝缘层。
9.如权利要求8所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述发光二极管芯片设置于第一电极上，并且通过导线分别电性连接第一电极和第二电极，所述齐纳二极管设置于第二电极上，并分别电性连接第一电极和第二电极。
10.如权利要求7所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：在齐纳二极管表面通过点胶形成一反射层的步骤之后，还包括在基板的上表面上形成一封装层的步骤。
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