[发明专利]一种芯片倒装BGA封装方法有效
申请号: | 201310380573.7 | 申请日: | 2013-08-28 |
公开(公告)号: | CN103441085A | 公开(公告)日: | 2013-12-11 |
发明(设计)人: | 李宗怿;顾骁 | 申请(专利权)人: | 江苏长电科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/56 |
代理公司: | 江阴市同盛专利事务所(普通合伙) 32210 | 代理人: | 唐纫兰 |
地址: | 214434 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 芯片 倒装 bga 封装 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种芯片倒装BGA封装方法,属于半导体封装技术领域。
背景技术
现今,半导体封装产业为了满足各种高功耗芯片要求,其大多在BGA表面放置散热片(如图1所示),散热片虽然增加了封装TOP面的散热效果,但也因此增加了BGA产品的整体高度,很难应用于对BGA封装要求较薄的产品如手机、笔记本等手持设备,而AP等芯片由于考虑到多核运算等,其功率要求也越来越高,对散热的要求也越来越高,无散热片的形式难以胜任要求,但增加散热片又难以满足产品应用环境对厚度的要求。而且带散热片的BGA生产方法,通常是在BGA生产加工完后,再用胶料压合散热片,因此散热片并没有与基板或芯片表面的热源直接接触,其散热效果不好。
发明内容
本发明的目的在于克服上述不足,提供一种芯片倒装BGA封装方法,它在不增加BGA封装厚度的情况下,通过封装工艺将金属凸块集成于BGA 塑封体上,凸块底面与基板表面或芯片表面相接触,凸块顶面通过电镀工艺使其与塑封料表面电镀金属层构成一个整体的散热装置,由于金属凸块直接与基板表面或芯片表面相连,热量可以直接传导至电镀金属层表面,并通过电镀金属层表面与空气的对流辐射作用,提高了整体散热效果。
本发明的目的是这样实现的:一种芯片倒装BGA封装方法,所述方法包括以下步骤:
步骤一、取一片基板
取一片厚度合适的基板,此基板上含有印刷电路;
步骤二、装片
在基板的正面通过底部填充胶倒装上芯片;
步骤三、安装金属凸块
在步骤二完成装片的芯片周围的基板正面安装上多个第一金属块,在芯片正面安装上多个第二金属块;
步骤四、塑封
在步骤三完成金属凸块安装的基板正面进行环氧树脂塑封保护;
步骤五、研磨
在步骤四完成环氧树脂塑封后进行表面研磨,使第一金属凸块和第二金属凸块顶部露出塑封料表面;
步骤六、电镀金属层
在步骤五完成研磨后的塑封料表面电镀上一层金属层;
步骤七、植球
在步骤六完成电镀金属层后的基板背面植入多个金属球。
与现有技术相比,本发明具有以下有益效果:
本发明一种芯片倒装BGA封装方法,它在不增加BGA封装厚度的情况下,通过封装工艺将金属凸块集成于BGA 塑封体上,凸块底面与基板表面或芯片表面相接触,凸块顶面通过电镀工艺使其与塑封料表面电镀金属层构成一个整体散热装置,由于金属凸块直接与基板表面或芯片表面相连,热量可以直接传导至电镀金属层表面,并通过电镀金属层表面与空气的对流辐射作用,提高了整体散热效果;金属凸块可采用一些固定尺寸规格,方便批量生产,并且与基板、芯片表面的连接位置、接触面积可根据内部的结构、内部热点位置以及模流成型的需要进行灵活布置,有利于大批量生产,也克服了采用整块散热金属块因芯片大小不同、封装尺寸大小不同需要特制的现象。
附图说明
图1为以往常见的散热型BGA的结构示意图。
图2~图8为本发明一种芯片倒装BGA封装结构制造方法的各工序示意图。
图9为本发明一种芯片倒装BGA封装结构的示意图。
图10为本发明一种芯片倒装BGA封装结构另一实施例的示意图。
其中:
基板1
芯片2
底部填充胶3
第一金属凸块4
第二金属凸块5
塑封料6
金属层7
金属球8。
具体实施方式
参见图9,本发明一种芯片倒装BGA封装结构,它包括基板1,所述基板1正面通过底部填充胶3倒装有芯片2,所述芯片2正面通过导热胶设置有多个第二金属凸块5,所述芯片2周围的基板1正面通过导热胶设置多个第一金属凸块4,所述第一金属凸块4与第二金属凸块5顶部齐平,所述芯片2、第一金属凸块4和第二金属凸块5外围的区域包封有塑封料6,所述塑封料6与第一金属凸块4和第二金属凸块5顶部齐平,所述塑封料6正面电镀有金属层7,所述金属层7与第一金属凸块4和第二金属凸块5顶部相连接,所述基板1背面设置有多个金属球8。
所述第一金属凸块4和第二金属凸块5的横截面形状可以是方形、圆形、六边形、八角形等,金属凸块可以在SMT工序或装片工序进行安装。
其制造方法如下:
步骤一、取一片基板
参见图2,取一片基板,基板上含有印刷电路,基板厚度的选择可依据产品特性进行选择;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造