[发明专利]导电插塞的形成方法

权利要求书

1.一种导电插塞的形成方法，所述导电插塞与金属栅极晶体管的金属栅极电连接，其特征在于，所述形成方法包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成金属栅极，所述金属栅极包括铝层；

形成位于所述衬底上的第一层间介质层，所述第一层间介质层的上表面与铝层的上表面齐平；

在所述第一层间介质层及金属栅极上形成第二层间介质层；

进行第一干法刻蚀，以在所述第二层间介质层内形成底部露出铝层的接触孔；

进行第二干法刻蚀，以去除所述第一干法刻蚀步骤在接触孔底部和侧壁上所形成的聚合物；

所述第二干法刻蚀之后，向所述接触孔内填充金属，形成导电插塞；

进行所述第二干法刻蚀采用的气体为N₂，或者进行所述第二干法刻蚀采用的气体为N₂和H₂，或者进行所述第二干法刻蚀采用的气体为O₂及CO。

2.根据权利要求1所述的导电插塞的形成方法，其特征在于，所述第二干法刻蚀之后、形成导电插塞之前，还包括对接触孔进行湿法清洗的步骤。

3.根据权利要求1所述的导电插塞的形成方法，其特征在于，所述第一干法刻蚀与第二干法刻蚀在同一反应腔室中进行。

4.根据权利要求1所述的导电插塞的形成方法，其特征在于，当进行所述第二干法刻蚀采用的气体为N₂时，所述第二干法刻蚀的工艺参数包括：压强为50至200mtorr，射频功率为200至500w，偏置功率为50至300w。

5.根据权利要求1所述的导电插塞的形成方法，其特征在于，当进行所述第二干法刻蚀采用的气体为N₂和H₂时，所述第二干法刻蚀的工艺参数包括：压强为50至200mtorr，射频功率为200至500w，偏置功率为50至300w，N₂与H₂的流量比为1：1至1：2。

6.根据权利要求1所述的导电插塞的形成方法，其特征在于，当进行所述第二干法刻蚀采用的气体为O₂及CO时，所述第二干法刻蚀的工艺参数包括：压强为50至200mtorr，射频功率为200至500w，偏置功率为50至300w，O₂与CO的流量比小于1：4。

7.根据权利要求1所述的导电插塞的形成方法，其特征在于，所述接触孔的形成方法包括：

在所述第二层间介质层上形成图形化光刻胶层，所述图形化光刻胶层定义所述接触孔的位置；

以所述图形化光刻胶层为掩模，对所述第二层间介质层进行第一干法刻蚀，以在所述第二层间介质层内形成所述接触孔；

形成接触孔之后，去除所述图形化光刻胶层。