[发明专利]发光装置

说明书

技术领域

本实施例涉及一种发光装置。

背景技术

发光二极管（LEDs）是将电能转换成光能而产生光的半导体发光装置。

由于发光二极管可以获得高亮度的光并且可以具有半永久的寿命，发光二极管已经广泛用作显示器、交通工具或照明装置（lighting device）的光源。

发明内容

本实施提供了能够降低驱动电压以减少能耗的发光装置。

本实施例提供了能够提高光强和发光效率的发光装置。

本实施例提供了能够提高光提取效率的发光装置。

根据实施例，提供一种发光装置，包括：发光结构，至少包括第一导电性半导体层、有源层、第二导电性半导体层；电极层，位于发光结构上；以及接触层，位于发光结构与电极层之间，且包括氮化物半导体层。

根据实施例，提供一种发光装置，包括：衬底；发光结构，位于衬底上，并至少包括第一导电性半导体层、有源层、以及第二导电性半导体层；电极层，位于发光结构上；以及接触层，位于发光结构和电极层之间，且包括氮化物半导体层。接触层部分地形成在第二导电性半导体层上。

根据实施例，提供一种发光装置，包括：发光结构，至少包括第一导电性半导体层、有源层、以及第二导电性半导体层；接触层，位于发光结构上包括氮化物半导体层；电极层，位于发光结构上；以及凹-凸结构，位于接触层与电极层之间。

附图说明

图1是示出根据第一实施例的发光装置的剖视图。

图2是示出根据第一实施例的驱动电压的变化的曲线图。

图3是示出根据第一实施例的光功率（optical power）的变化的柱状图。

图4是示出光功率根据接触层的厚度和接触层的生长温度而变化的曲线图。

图5是示出根据第二实施例的发光装置的剖视图。

图6是示出图5的电极层的一种形状的俯视图。

图7是示出图5的电极层的另一形状的俯视图。

图8是示出根据第三实施例的发光装置的剖视图。

图9是示出根据第四实施例的发光装置的剖视图。

图10是示出根据第五实施例的发光装置的剖视图。

图11是示出根据第六实施例的发光装置的剖视图。

图12是示出根据第七实施例的发光装置的剖视图。

图13是示出根据第一实施例的侧向型（lateral-type）发光装置的剖视图。

具体实施方式

在实施例接下来的描述中，将会理解的是，当层膜、区域、图案或结构被称为在另一衬底、层膜、区域、垫或图案“上”或“下”时，其能够“直接”或“间接”在另一衬底、层膜、区域、垫或图案上，或者一个或多个中间层也可以存在。将参考附图描述这样的每一层的位置。

下文中，将参考附图描述实施例。为方便或清楚的目的，附图中示出的每层膜的厚度和尺寸可以被扩大、省略或示意性地示出。此外，每一元件的尺寸不完全反映实际尺寸。

图1是示出根据第一实施例的发光装置的剖视图。

参考图1，根据第一实施例的发光装置可以包括衬底1、设置在衬底1上的发光结构9、设置在发光结构9上的电极层13、以及插入在发光结构9与电极层13之间的接触层11。

接触层11可以以接触结构被命名。换句话说，接触层11和接触结构不仅基本上具有相同的作用和相同的结构，而且可以基本上具有相同材料。

由于衬底1起到支撑作用，衬底1必须具有极大的硬度、耐腐蚀性和低热膨胀系数，并且还包括具有与发光结构9之间小的晶格常数差异的材料。例如，衬底1可以包括由蓝宝石、SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO、GaP、InP和Ge组成的群中选择的至少一个，但是实施例不限于此。

尽管未示出，缓冲层可以插入在衬底1和发光结构9之间，但实施例不限于此。

可以形成缓冲层以减少衬底1与发光结构9之间的大的晶格常数差距。换句话说，缓冲层可以形成在衬底1上，发光结构9可以形成在缓冲层上。在这种情况下，由于发光结构9表现出与缓冲层之间的小的晶格常数差差异，因而发光结构9稳定地生长在缓冲层上而不会失败，使得电和光特性能够得以提高。

例如，缓冲层可以具有衬底1与发光结构9的晶格常数之间的中间晶格常数。